[实用新型]一种基于单MOSFET斩波的驱动电路有效
申请号: | 201922118050.0 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN210780610U | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 卢菁锋;敖国辉;顾良杰 | 申请(专利权)人: | 江苏国网自控科技股份有限公司 |
主分类号: | H02P5/68 | 分类号: | H02P5/68;H02H3/08 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 mosfet 驱动 电路 | ||
1.一种基于单MOSFET斩波的驱动电路,其特征在于:其包括将市电整流降压后输出至待驱动电机模块的整流桥电路、微控制器、检测所述整流桥电路输出电压并将其传输给所述微控制器的光耦隔离模块、设置在所述整流桥电路与所述待驱动电机模块连接电路上的MOSFET晶体管、一与门逻辑器、与所述与门逻辑器输出端连接且驱动所述MOSFET晶体管的MOSFET驱动电路,所述微控制器的PWM输出信号与一MOSFET保护电路的输出信号接入所述与门逻辑器的两路输入端。
2.如权利要求1所述的基于单MOSFET斩波的驱动电路,其特征在于:所述整流桥电路与所述待驱动电机模块连接电路上且位于所述MOSFET晶体管的上游还设置有一霍尔元件,所述霍尔元件采集电流信号输送至所述微控制器。
3.如权利要求1所述的基于单MOSFET斩波的驱动电路,其特征在于:所述待驱动电机模块包括至少一个驱动电机。
4.如权利要求1所述的基于单MOSFET斩波的驱动电路,其特征在于:所述MOSFET驱动电路包括光耦隔离与驱动模块。
5.如权利要求1所述的基于单MOSFET斩波的驱动电路,其特征在于:所述与门逻辑器的两个接入端分别设置有下拉电阻。
6.如权利要求1所述的基于单MOSFET斩波的驱动电路,其特征在于:所述与门逻辑器的输出端设置有下拉电阻、限流电阻。
7.如权利要求4所述的基于单MOSFET斩波的驱动电路,其特征在于:所述光耦隔离与驱动模块包括连接所述与门逻辑器输出端的光电隔离型栅极驱动器,所述光电隔离型栅极驱动器的输出端连接所述MOSFET晶体管。
8.如权利要求7所述的基于单MOSFET斩波的驱动电路,其特征在于:所述光电隔离型栅极驱动器的输出线路上设置有限流电阻、与所述限流电阻并联的二极管。
9.如权利要求1所述的基于单MOSFET斩波的驱动电路,其特征在于:所述MOSFET保护电路为短路保护电路。
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