[实用新型]双向瞬态电压抑制装置

说明书

公开了一种双向瞬态电压抑制装置，该双向瞬态电压抑制装置包括：衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面，所述衬底由第一导电类型的半导体形成；外延层，所述外延层仅形成在所述衬底的第一表面上，所述外延层由与所述第一导电类型不同的第二导电类型的半导体形成；扩散层，所述扩散层形成在所述外延层的远离所述衬底的表面上，所述扩散层由与所述第二导电类型不同的第三导电类型的半导体形成；以及沟槽，所述沟槽自所述扩散层的远离所述外延层的表面贯穿所述外延层并延伸至所述衬底内。该双向瞬态电压抑制装置结构简单，且便于组装。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别是涉及一种双向瞬态电压抑制装置。

背景技术

通常在电子电路中使用称作稳压二极管或雪崩二极管的瞬态电压抑制(TVS)装置免受因瞬态电压信号而造成的破坏。瞬态电压抑制(TVS)装置可以被制造为单向装置或双向装置。在双向装置的情况下，第一装置可以制造在半导体管芯(芯片)的第一侧上，而第二装置可以制造在半导体管芯(芯片)的第二侧上，以为不同装置的电特性方面提供一些灵活性。

然而，这种双向装置通常在半导体管芯(芯片)的两侧均是不平坦的，因此在组装过程中需要特别小心，而且需要在引线框架处进行特别设计以保护钝化层。此外，在组装时通常采用焊接的方式，因此需要防止焊料溢出，以免造成电气短路和可靠性问题。

实用新型内容

本公开的一个目的旨在解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面。

根据本公开的一个方面的实施例，提供了一种双向瞬态电压抑制装置，所述双向瞬态电压抑制装置包括：

衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面，所述衬底由第一导电类型的半导体形成；

外延层，所述外延层仅形成在所述衬底的第一表面上，所述外延层由与所述第一导电类型不同的第二导电类型的半导体形成；

扩散层，所述扩散层形成在所述外延层的远离所述外延层的表面上，所述扩散层由与所述第二导电类型不同的第三导电类型的半导体形成；以及

沟槽，所述沟槽自所述扩散层的远离所述外延层的表面贯穿所述外延层并延伸至所述衬底内。

在至少一个实施例中，所述第一导电类型与所述第三导电类型是相同的。

在至少一个实施例中，第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p 型，所述第三导电类型为n型。

在至少一个实施例中，所述第一导电类型为p型，所述第二导电类型为n型，所述第三导电类型为p型。

在至少一个实施例中，所述外延层的厚度在20μm至80μm之间。

在至少一个实施例中，所述扩散层的厚度在1μm至30μm之间。

在至少一个实施例中，所述沟槽内形成有钝化保护层。

在至少一个实施例中，所述钝化保护层由玻璃制成。

在至少一个实施例中，该双向瞬态电压抑制装置还包括引线框架，所述引线框架仅在所述衬底的设置有所述外延层的一侧联接至所述衬底。

在至少一个实施例中，该双向瞬态电压抑制装置还包括用于封装所述双向瞬态电压抑制装置的封装件。

根据本公开上述各种实施例所述的双向瞬态电压抑制装置通过仅在衬底的一侧设置外延层，并在外延层的远离衬底的一侧设置扩散层，以使得衬底和外延层之间形成一个结，外延层和扩散层之间形成另一个结，这两个结在结构上是相反的，并均位于衬底的同一侧，因此衬底的另一侧可以是平坦的，以便于双向瞬态电压抑制装置的组装。

附图说明

图1是根据本公开的一种示例性实施例的双向瞬态电压抑制装置的结构示意图；以及