[实用新型]一种倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池

权利要求书

1.一种倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池，其特征在于：包括采用倒装方式在GaAs衬底上依次生长的AlGaInP双异质结子电池、GaAs子电池、Ga_mIn_1-mP渐变层、第一Ga_xIn_1-xAs双异质结子电池、Ga_nIn_1-nP渐变层和第二Ga_yIn_1-yAs双异质结子电池，各子电池之间通过隧道结连接，且生长完各子电池后剥离出GaAs衬底，所述AlGaInP双异质结子电池上设置有上电极，所述第二Ga_yIn_1-yAs双异质结子电池上设置有下电极，并粘结在一支撑衬底上；所述Ga_mIn_1-mP渐变层的m值从上至下在0.52～0区间渐变，对应的晶格常数从与GaAs子电池匹配渐变为与第一Ga_xIn_1-xAs双异质结子电池匹配，其中0.4x0.5；所述Ga_nIn_1-nP渐变层的n值从上至下在0.52～0区间渐变，对应的晶格常数从与第一Ga_xIn_1-xAs双异质结子电池匹配渐变为与第二Ga_yIn_1-yAs双异质结子电池匹配，其中0.4y0.5。

2.根据权利要求1所述的一种倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池，其特征在于：所述AlGaInP双异质结子电池采用能够调节晶格常数大小和带隙的GaInAsP作为双异质结的基区，该子电池带隙为2.06eV，从上至下依次包括有n型窗口层、n型AlGaInP发射区、p型AlGaInP及GaInAsP基区、P型背场层；所述n型窗口层和p型背场层采用比AlGaInP双异质结子电池带隙宽的III-V族半导体材料。

3.根据权利要求1所述的一种倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池，其特征在于：所述第一Ga_xIn_1-xAs双异质结子电池采用能够调节晶格常数大小和带隙的GaInAsP作为双异质结的基区，该子电池带隙为1.04eV，从上至下依次包括有n型窗口层、n型GaInP发射区、p型GaInAsP及Ga_xIn_1-xAs基区、p型背场层；所述n型窗口层和p型背场层采用晶格常数与第一Ga_xIn_1-xAs双异质结子电池一致且带隙宽于1.04eV的III-V族半导体材料。

4.根据权利要求1所述的一种倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池，其特征在于：所述第二Ga_yIn_1-yAs双异质结子电池采用能够调节晶格常数大小和带隙的GaInAsP作为双异质结的基区，该子电池带隙为0.70eV，从上至下依次包括有n型窗口层、n型GaInP发射区、p型GaInAsP及Ga_yIn_1-yAs基区、p型背场层；所述n型窗口层和p型背场层采用晶格常数与第二Ga_yIn_1-yAs双异质结子电池一致且带隙宽于0.7eV的III-V族半导体材料。

5.根据权利要求1所述的一种倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池，其特征在于：所述GaAs子电池带隙为1.42eV。

6.根据权利要求1所述的一种倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池，其特征在于：所述AlGaInP双异质结子电池、GaAs子电池、Ga_mIn_1-mP渐变层、第一Ga_xIn_1-xAs双异质结子电池、Ga_nIn_1-nP渐变层和第二Ga_yIn_1-yAs双异质结子电池均与GaAs衬底保持晶格匹配。