[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201922121787.8 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN210575927U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48;H01L21/603 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
支撑层，包括焊盘区域；所述支撑层的焊盘区域内形成有若干个凹槽，所述凹槽底部的宽度大于所述凹槽开口的宽度；
焊垫，位于所述支撑层上，且位于所述焊盘区域内，所述焊垫部分嵌入所述凹槽内。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为单层结构。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为叠层结构，所述支撑层包括：
第一材料层；
第二材料层，位于所述第一材料层的上表面；所述第二材料层内形成有所述凹槽。
4.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的纵截面形状包括瓶状或梯形。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述凹槽的侧壁相较于所述支撑层的上表面的倾斜角度为30°～65°。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为叠层结构，所述支撑层包括：
第一材料层；
第二材料层，位于所述第一材料层的上表面；其中，
所述第二材料层内形成有沿其厚度方向贯穿的通孔，所述第一材料层内形成有凹陷槽，所述凹陷槽的宽度大于所述通孔的宽度，所述凹陷槽与所述通孔相连通，且与所述通孔共同构成所述凹槽。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述凹陷槽的宽度为所述通孔的宽度的1.5倍～6倍。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层为叠层结构，所述支撑层包括：
第一材料层；
第二材料层，位于所述第一材料层的上表面；
第三材料层，位于所述第二材料层的上表面；其中，
所述第三材料层内形成有沿其厚度方向贯穿的第一通孔，所述第二材料层内形成有沿其厚度方向贯穿的第二通孔；所述第二通孔的宽度大于所述第一通孔的宽度，所述第二通孔与所述第一通孔相连通，且与所述第一通孔共同构成所述凹槽。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二通孔的宽度为所述第一通孔的宽度的1.5倍～6倍。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
保护层，位于所述支撑层及所述焊垫的上表面；所述保护层内具有开口，所述开口暴露出所述焊垫；
焊线，一端位于所述开口内，且与所述焊垫相连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922121787.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种远程交通巡视装置
- 下一篇：一种多车道自由流车辆定位系统
