[实用新型]线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构有效
申请号: | 201922123832.3 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN211016998U | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 林志隆;蔡兆哲;陈俊龙 | 申请(专利权)人: | 聚昌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线圈 水平 位置 动态 调整 蚀刻 结构 | ||
本实用新型公开了一种线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构,其包括:第一电浆反应腔体;水平滑动模块,其具有:至少一个第一高度支撑件;第一水平支撑件;第一滑动件;及第二滑动件;线圈支架;以及线圈模块;其中第一滑动件及第二滑动件,使线圈模块在第一电浆反应腔体上方,进行X轴向或Y轴向的移动。借由本实用新型的实施,可以动态的完成反应腔室壁体上,各不同部位沉积物的清理。
技术领域
本实用新型涉及一种蚀刻机结构,特别是涉及一种线圈水平位置可动态调整之蚀刻机结构。
背景技术
对感应耦合电浆(Inductively Coupled Plasma,ICP)而言,线圈的位置及长度是很重要的。一旦线圈的长度及位置被固定后,就不会再变动,因此电浆浓度的均匀度,电子温度分布,对反应腔体内局部损害的位置与程度都会固定。
如图1所示,当蚀刻机被使用一段时间后,在反应腔室的壁体上,就会有电浆反应后的聚合物的沉积(图中深色区域),又相关聚合物的沉积,将会造成反应腔室内制程参数的失真,此外当聚合物沉积的厚度逐渐增加后,反应腔室内杂质微粒的准位也将随之升高,也因此产生严重影响良率的问题。
现有的感应耦合电浆蚀刻机,特别是在使用干式清理(dry clean)的时候,由于线圈的位置是固定在同一个位置,因此聚合物被清除的部位(图中浅色区域),也受到了限制,造成反应腔室无法被有效的清理。
实用新型内容
本实用新型为一种线圈水平位置可动态调整地蚀刻机结构,其主要是要解决如何借由动态线圈位置的调整,以有效完成反应腔室壁体上,沉积物清理的问题。
本实用新型提供一种线圈水平位置可动态调整的蚀刻机结构,其包括:第一电浆反应腔体,其具有第一反应腔室;水平滑动模块,其具有:至少一个第一高度支撑件,其固设于第一电浆反应腔体的第一侧;第一水平支撑件,其结合于至少一个第一高度支撑件上;第一滑动件,其第一端部水平滑动结合于第一水平支撑件;及第二滑动件,其水平滑动结合于第一滑动件;线圈支架,其结合于第二滑动件,且形成于第一电浆反应腔体的上方处;以及线圈模块,其固设于线圈支架;其中第一滑动件及第二滑动件,使线圈模块在第一电浆反应腔体上方,进行X轴向或Y轴向的移动。
在本实用新型一实施例中,第一水平支撑件具有第一水平滑轨,又第一端部具有第一滑套,且第一滑套可滑动的结合于第一水平滑轨。
在本实用新型一实施例中,第一滑动件设有第一滑道,又第二滑动件具有第二滑轨,且第二滑轨可滑动的结合于第一滑道。
在本实用新型一实施例中,第一水平支撑件与第一滑动件相互垂直设置。
在本实用新型一实施例中,水平滑动模块还具有:
至少一个第二高度支撑件,其固设于第一电浆反应腔体的第二侧;以及
第二水平支撑件,其结合于至少一个第二高度支撑件上;
又第一滑动件,其第二端部水平滑动结合于第二水平支撑件。
在本实用新型一实施例中,第二水平支撑件具有第二水平滑轨,又第二端部具有第二滑套,且第二滑套可滑动的结合于第二水平滑轨。
在本实用新型一实施例中,第一水平支撑件与第二水平支撑件为相互平行的结构。
借由本实用新型的实施,至少可以达成下列的进步功效:
(一)可以动态的完成反应腔室,不同壁体位置上沉积物的清理;
(二)可以降低反应腔室内的杂质微粒的准位。
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