[实用新型]一种MOSFET有效
| 申请号： | 201922124703.6 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN211017080U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 俞义长;张海泉;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 高姗 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet | ||
【权利要求书】：
1.一种MOSFET,包括半导体基底、设置在所述半导体基底上的外延层和多个元胞，其特征在于，所述元胞为对称结构，所述元胞包括：
两个沟槽栅结构，两个所述沟槽栅结构设置在所述外延层表面内；
第一重掺杂层，所述第一重掺杂层设置在两个所述沟槽栅结构之间，所述第一重掺杂层延伸至两个沟槽的底部并覆盖两个所述沟槽底部超出一半的位置。
2.根据权利要求1所述的MOSFET，其特征在于，两个所述沟槽栅结构配置为第一沟槽栅结构和第二沟槽栅结构，所述第一沟槽栅结构的第一侧和所述第二沟槽栅结构的第二侧分别设置有第二掺杂层。
3.根据权利要求2所述的MOSFET，其特征在于，所述第一沟槽栅结构的第一侧和所述第二沟槽栅结构的第二侧还分别设置有第三掺杂层，所述第三掺杂层设置在所述第二掺杂层表面内，所述第三掺杂层的掺杂类型与所述第一重掺杂区的掺杂类型相反。
4.根据权利要求3所述的MOSFET，其特征在于，所述第一重掺杂区、第二掺杂层和所述第三掺杂层分别连接源极金属，所述第一沟槽栅结构和所述第二沟槽栅结构分别连接栅极金属，所述半导体基底的底部设置有漏极金属。
5.根据权利要求1所述的MOSFET，其特征在于，所述半导体基底为碳化硅，所述外延层为同质外延层。
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