[实用新型]一种超低损耗高频电容器有效
申请号: | 201922130125.7 | 申请日: | 2019-12-03 |
公开(公告)号: | CN211507399U | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 金雷;孔维彬;崔飞;金杨;徐飞 | 申请(专利权)人: | 南京汇聚新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/12;H01G4/232;H01G4/008 |
代理公司: | 南京鼎傲知识产权代理事务所(普通合伙) 32327 | 代理人: | 殷筛网 |
地址: | 211300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 损耗 高频 电容器 | ||
本实用新型属于电容陶瓷器技术领域,尤其是一种超低损耗高频电容器,包括电容器本体、内电极层、外部电极和钡钨铌陶瓷层;所述电容器本体的两侧设置外部电极;电容器本体的内部设置内电极层和钡钨铌陶瓷层;所述的外部电极自内至外依次为银外电极层、镍电极层和锡电极层;所述银外电极层中银金属粉末的粒度≦1μm;所述的内电极层为纯银内电极层;所述纯银内电极层中银金属粉末的粒度≦1μm;所述的内电极层设置有多个,多个内电极层均与外部电极电性连接;多个内电极层交错设置与钡钨铌陶瓷层交替堆叠。本实用新型大幅降低损耗系数,实现了低电容超低损耗以及高电容超低损耗之高频微波组件产品。
技术领域
本实用新型涉及电容器技术领域,尤其涉及一种超低损耗高频电容器。
背景技术
由于高频电容组件,若要达到低损耗,往往不是容易达成。由于组件制造过程中,高频电容组件结构,包括有钡钨铌陶瓷层以及电极层,需要彼此匹配才有办法降低损耗,因此,目前开发的电容组件,虽然都使用低损耗的陶瓷材料,但是往往却因为其他制造的工艺技术影响,导致制造出来的组件,仍没办法达到低损耗特性。因而若要能够突破传统工艺,达到制作出来的组件具有低损耗特性,则在金属电极层部分,要做特别之调整,包括让电极层密度致密并且孔隙降低,才有办法达到低损耗特性。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的没有办法达到低损耗的缺点,而提出的一种超低损耗高频电容器。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种超低损耗高频电容器,包括电容器本体、一组内电极层、钡钨铌陶瓷层和外部电极;所述电容器本体的两侧对称设置有外部电极;电容器本体的内部设置一组内电极层和钡钨铌陶瓷层;所述的外部电极自内至外依次为银外电极层、镍电极层和锡电极层;所述银外电极层中银金属粉末的粒度≦1μm;所述的内电极层为纯银内电极层;所述纯银内电极层中银金属粉末的粒度≦1μm;一组内电极层均与外部电极电性连接;一组内电极层交错设置与钡钨铌陶瓷层交替堆叠。
优选的,所述外部电极的总厚度为0.2±0.20mm。
优选的,所述钡钨铌陶瓷层的介电常数为17-24,损耗系数Df≦0.006%。
优选的,所述的内电极层设置有四个,四个内电极层均与外部电极电性连接;其中两个内电极层处于同一水平面,两个内电极层之间设置有间隔A;另两个内电极层处于同一水平面,且两个内电极层之间设置有间隔B;间隔A和间隔B交错设置,四个内电极层与钡钨铌陶瓷层交替堆叠。
优选的,交错设置的内电极层之间的钡钨铌陶瓷层的厚度为150μm-450μm。
优选的,所述银外电极层中银金属粉末的粒度≦1μm。
优选的,所述的内电极层设置有四个,四个内电极层均与外部电极电性连接;四个内电极层交错设置与钡钨铌陶瓷层交替堆叠。
优选的,所述钡钨铌陶瓷层内还含有1-10wt%的氟化锂或是玻璃,可以在900度烧结致密,并且可以与银电极共烧。
本实用新型机理是:采用氟化锂或是玻璃等材料添加进去,由于氟化锂与玻璃的熔点低,因此,添加进去后,由于氟化锂熔点在600-850度的间,玻璃熔点约在600-800度的间,因此,当超过600度的后,锂化氟或是玻璃就会开始产生液相烧结,则可以有效的将孔隙的部分充填,使得材料在900度时候可以烧结致密,并且孔隙大幅降低,而本材料系统。
本实用新型的有益效果:
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