[实用新型]存储器及其衬垫结构有效
| 申请号： | 201922132411.7 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN210640236U | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 衬垫 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储器的衬垫结构，其特征在于，包括：
绝缘支撑层，包括第一区域以及围绕所述第一区域的环形沟槽，所述第一区域内包括多个第一沟槽和多个第二沟槽，多个所述第一沟槽均与所述环形沟槽相通，任一所述第二沟槽与所述环形沟槽以及任一所述第一沟槽均不相通；
导电层，填充于所述环形沟槽和各所述第一沟槽内；
金属层，填充于各所述第二沟槽内。
2.根据权利要求1所述的存储器的衬垫结构，其特征在于，多个所述第一沟槽均呈直线，且各所述第一沟槽的两端均与所述环形沟槽相通。
3.根据权利要求2所述的存储器的衬垫结构，其特征在于，部分所述第一沟槽沿着第一方向延伸，其余所述第一沟槽沿着第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向垂直。
4.根据权利要求3所述的存储器的衬垫结构，其特征在于，部分所述第二沟槽沿着所述第一方向延伸，其余所述第二沟槽沿着所述第二方向延伸。
5.根据权利要求1所述的存储器的衬垫结构，其特征在于，所述导电层与所述金属层的材料相同。
6.根据权利要求5所述的存储器的衬垫结构，其特征在于，所述导电层与所述金属层的材料均为铜、钨或铝。
7.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的存储器的衬垫结构。
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