[实用新型]一种强容错高性能的电驱动控制装置

权利要求书

1.一种强容错高性能的电驱动控制装置，其特征在于，包括控制机箱，和安装于机箱内部的PCB电路板；所述PCB电路板包括驱动监测模块、防雷模块和切换模块；

其中，所述驱动监测模块包括：放大器U1、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、场效应管Q6、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、晶振二极管D5、二极管D6、晶振二极管D7、二极管D8、可调电阻Z1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5；所述放大器U1的3号管脚与所述二极管D2的负极连接，所述放大器U1的2号管脚与所述三极管Q3的集电极连接，所述放大器U1的11号管脚与所述三极管Q3的发射极连接，所述三极管Q3的基极同时与所述二极管D1的负极和所述三极管Q2的集电极连接，所述二极管D2的正极同时与所述二极管D1的正极和所述电阻R4连接，所述三极管Q2的基极同时与所述电阻R3的一端和所述电容C2的一端连接，所述三极管Q2的发射极与所述电阻R3的另一端连接，所述电容C2的另一端同时与所述电阻R2和所述电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端同时与所述电阻R1的一端和所述三极管Q1的集电极连接，所述三极管Q1的基极与所述二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极和所述电阻R1的另一端连接；所述放大器U1的4号管脚与所述可调电阻Z1的可调端连接，所述可调电阻Z1的一端与所述二极管D3的负极连接，所述可调电阻Z1的另一端与所述二极管D4的正极连接，所述二极管D3的正极与所述电容C3的一端连接，所述放大器U1的1号管脚同时与所述三极管Q4的基极、所述三极管Q5的基极和所述电阻R6的一端连接，所述三极管Q4的集电极同时与所述电阻R5的一端、所述电容C3的另一端和所述电容C5的一端连接，所述三极管Q5的集电极同时与所述晶振二极管D5的正极、所述电容C4的一端、所述电容C5的另一端和所述二极管D6的正极连接，所述三极管Q5的发射极同时与所述三极管Q4的发射极、所述电容C4的另一端、所述二极管D6的负极、所述晶振二极管D7的正极、所述场效应管Q6的发射极和所述二极管D8的正极连接；所述电阻R5的另一端与所述晶振二极管D5的负极连接，所述电阻R6的另一端同时与所述晶振二极管D7的负极和所述场效应管Q6的基极连接，所述场效应管Q6的集电极同时与所述二极管D8的负极和所述二极管D4的负极连接。

2.根据权利要求1所述一种强容错高性能的电驱动控制装置，其特征在于，所述防雷模块包括：光电耦合器U2、光电耦合器U3、光电耦合器U4、放大器U5、放大器U6、双向二极管D9、双向二极管D10、电容C6、电容C7、热敏电阻RT1、热敏电阻RT2、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、放电管E1；其中所述光电耦合器U2的1号管脚与所述电阻R7连接，所述光电耦合器U2的4号管脚接地；所述光电耦合器U3的1号管脚与所述电阻R8连接，所述光电耦合器U3的4号管脚接地；所述光电耦合器U4的1号管脚与所述电阻R9连接，所述光电耦合器U4的6号管脚与所述电阻R10连接，所述光电耦合器U4的2号管脚接地；所述光电耦合器U2的6号管脚同时与所述电阻R11和所述放大器U5的3号管脚连接，所述光电耦合器U3的6号管脚同时与所述放大器U5的2号管脚和所述放大器U6的4号管脚连接，所述光电耦合器U4的4号管脚与所述放大器U6的7号管脚连接，所述放大器U5的8号管脚同时与所述放大器U6的6号管脚、所述电阻R12、所述双向二极管D9的一端和所述电容C6的一端连接，所述放大器U5的1号管脚同时与所述放大器U6的5号管脚、所述电阻R13的一端、所述双向二极管D10的一端和所述电容C7的一端连接，所述双向二极管D9的另一端接地，所述电阻R13的另一端接地，所述双向二极管D10的另一端接地，所述电容C6的另一端同时与所述放电管E1的1号管脚和所述热敏电阻RT1连接，所述电容C7的另一端同时与所述放电管E1的2号管脚和所述热敏电阻RT2连接，所述放电管E1的3号管脚接地。