[实用新型]半导体结构有效

专利信息
申请号: 201922152641.X 申请日: 2019-12-03
公开(公告)号: CN211088261U 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 于新新 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;董琳
地址: 230001 安徽省合肥市蜀山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构
【说明书】:

一种半导体结构,所述半导体结构包括:基底,所述基底包括第一区域和第二区域,所述第一区域上形成有第一器件结构,所述第二区域上形成有第二器件结构,所述第一器件结构高度大于所述第二器件结构的高度,所述第一器件结构具有至少部分凹陷的侧壁,所述凹陷位于所述第一区域和第二区域的交界处;第一介质层,位于第二区域上,所述第一介质层填充满所述凹陷,所述第一介质层具有流动性。上述半导体结构的性能得到提高。

技术领域

实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体结构。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,简称:DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件,由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管。

其中,存储单元位于存储区域内,而存储区域的旁边为外围区域,外围区域内形成有外围电路,包括晶体管以及互连结构等。一般而言,位于存储区域内的电容有较大的高度,如此具有较好的存储电荷效能,这也使得外围区域与存储区域之间具有较大的高度差。在形成外围区域内电路,以及存储区域内的存储单元之后,需要沉积介质层覆盖所述外围区域以及所述存储区域,由于两个区域内的器件的高度差,两个区域内的介质层也会具有相当大的高度差,后续需要通过刻蚀或CMP等方式进行平坦化。

现有技术中,外围区域上的介质层内容易产生缺陷,导致在外围区域上形成的金属接触孔之间发生短路等问题。

现有技术的半导体结构性能还有待进一步提高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种半导体结构,提高半导体结构的性能。

为了解决上述问题,本实用新型提供了一种半导体结构,包括:基底,所述基底包括第一区域和第二区域,所述第一区域上形成有第一器件结构,所述第二区域上形成有第二器件结构,所述第一器件结构高度大于所述第二器件结构的高度,所述第一器件结构具有至少部分凹陷的侧壁,所述凹陷位于所述第一区域和第二区域的交界处;第一介质层,位于第二区域上,所述第一介质层填充满所述凹陷,所述第一介质层具有流动性。

可选的,还包括:位于第一介质层上方,覆盖所述第一区域和第二区域的第二介质层,所述第二介质层的硬度大于所述第一介质层的硬度。

可选的,所述第一介质层表面低于所述第一器件结构顶部。

可选的,所述第二介质层的厚度范围为500nm~1000nm。

可选的,所述第一介质层为具有掺杂元素的氧化硅层,且所述掺杂元素包括磷和硼中的至少一种。

可选的,若掺杂元素包括磷,则磷的掺杂比例为3~10%,若掺杂元素包括硼,则硼的掺杂比例为3~8%

可选的,所述第二器件结构包括金属连接层,还包括:贯穿所述第一介质层,与所述金属连接层连接的金属接触孔。

可选的,所述金属接触孔包括:覆盖贯穿所述第一介质层的通孔内部表面的金属阻挡层;位于所述金属阻挡层表面且填充满所述通孔的金属层。

可选的,所述金属层为退火回流处理后的金属层。

可选的,所述第一器件结构包括存储单元阵列。

本实用新型的半导体结构具有较高流动性的第一介质层,填充第一区域上的第一器件结构侧壁的凹陷,避免第一介质层在后续工艺流程中产生缺陷,从而可以提高所述第一介质层的质量,避免后续在第一介质层内形成的金属接触孔之间发生短路问题。

附图说明

图1a至图1c为本实用新型一具体实施方式的形成半导体结构的过程示意图;

图2至图6为本实用新型另一具体实施方式的半导体结构的形成过程的结构示意图。

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