[实用新型]QFN封装载板及半导体器件

说明书

本申请提供一种QFN封装载板，包括：焊盘区和间隔设置在焊盘区周围的多个导电焊盘，焊盘区用于放置具有微焊垫的芯片；导电焊盘上设有金属层，导电焊盘上的金属层与芯片的微焊垫通过外部的引线连接。通过在QFN封装结构中的导电焊盘上设置金属层，从而在完成芯片的微焊垫与导电焊盘的电互连中以金属层代替部分引线，相较于全引线电互连降低了阻抗，增加了导通率，使得该封装基板在应用于射频芯片产品中时，以一种低成本的方式，轻松地满足射频芯片产品对阻抗的要求。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种QFN封装载板及半导体器件。

背景技术

引线框架是半导体封装中重要的基材，其上设置有若干金属导电焊盘，用于与芯片上的微焊垫实现电互连，进而在封装体上形成外引脚。典型的引线框架结构包括中央焊盘区和导电焊盘，中央焊盘区用于支撑承载芯片，而多个导电焊盘则分布在中央焊盘区外围的四周，导电焊盘与芯片上的微焊垫实现电互连。电互连的方式依据封装种类的不同而不同，例如可以为引线键合方式、倒装焊接方式、TSV(Through Silicon Via，硅通孔)方式等。

由于RF(Radio Frequency，射频技术)射频芯片产品对阻抗的要求极高，需要尽可能降低封装件的阻抗。而在现有的引线键合方式中，要保证阻抗达标，需要采用一些额外的复杂措施，致使成本增加，不利于采用引线键合方式的封装结构在射频芯片产品中的应用。

实用新型内容

本申请实施例的目的在于提供一种QFN(Quad Flat No-leadPackage，方形扁平无引脚封装)封装载板及半导体器件，以一种低成本的方式，实现采用引线键合方式的封装结构在应用于射频芯片产品中时，能够轻松地满足射频芯片产品对阻抗的要求。

为了实现上述目的，本申请的实施例通过如下方式实现：

第一方面，本申请实施例提供一种QFN封装载板，包括：焊盘区和间隔设置在所述焊盘区周围的多个导电焊盘，所述焊盘区用于放置具有微焊垫的芯片；所述导电焊盘上设有金属层，所述导电焊盘上的金属层与所述芯片的微焊垫通过外部的引线连接。

通过在QFN封装结构中的导电焊盘上设置金属层，由于金属层具有一定高度，而芯片的微焊垫的水平高度是高于导电焊盘的水平高度的，金属层的设置，可以减少微焊垫与导电焊盘连接的引线长度，从而在完成芯片的微焊垫与导电焊盘的电互连中以金属层代替部分引线，相较于全引线电互连降低了阻抗，增加了导通率，使得该封装基板在应用于射频芯片产品中时，以一种低成本的方式，轻松地满足射频芯片产品对阻抗的要求。

结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述焊盘区与所述导电焊盘之间的间隙中填充有塑封料。

在焊盘区与导电焊盘之间的间隙中填充塑封料，可以对焊盘区与导电焊盘起到支撑作用，避免由于形变带来的短接而导致芯片的损毁。

结合第一方面，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述导电焊盘包括导电接合部和连接部，所述导电接合部设置在邻近所述焊盘区的一方，所述金属层设置在所述导电接合部上；所述连接部设置在远离所述焊盘区的一方；所述导电接合部与所述连接部之间电连接。

导电焊盘包括导电接合部和连接部，导电接合部用于与芯片的微焊垫连接，且导电接合部的设置位置靠近中央焊盘区，因此，在导电接合部上设置金属层能够尽可能地减小引线连接芯片的微焊垫与导电接合部的连接距离，从而减小阻抗。

结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述连接部连接另一连接部，其中，所述另一连接部为另一焊盘区中的连接部。

连接部可以与另一连接部连接，由于二者处于同一水平高度，因此有利于降低在QFN封装载板封装芯片时实现自动化流程的难度，有利于批量生产，提高效率。