[实用新型]半导体器件

说明书

本实用新型提供了一种半导体器件。在利用位线组和隔离线组界定出节点接触窗阵列的基础上，还进一步设置辅助线，以利用辅助线界定出辅助接触窗在节点接触窗阵列的外围，此时基于该辅助接触窗，即可以有效均衡节点接触窗阵列中边缘区域和中间区域的节点接触窗的排布密度，提高了位于边缘区域的节点接触窗的形貌精度，并可进一步提高了位于边缘区域的节点接触窗和位于中间区域的节点接触窗的形貌均匀性。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件。

背景技术

存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常包括存储电容器以及电性连接所述存储电容器的存储晶体管，所述存储电容器用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储晶体管可通过一节点接触部电性连接所述存储电容器。

目前，一种制备节点接触部的方法例如为：利用位线和隔离线界定出节点接触窗，进而可以填充导电材料在所述节点接触窗中，以形成节点接触部。

然而，在制备位线和隔离线时，对应在边缘位置上的位线和隔离线，其图形形貌极易发生变形，这不仅会对位线和隔离线的性能造成不利影响，导致最终所形成的半导体器件其稳定性较差，并且还会导致所界定出节点接触窗的形貌异常，进而影响最终形成的节点接触部的品质。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体器件，以解决现有的半导体器件中其形成在记忆体区边缘的节点接触窗的形貌异常，进而影响填充在节点接触窗中的节点接触部。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种半导体器件，包括：

衬底，所述衬底上定义有记忆体区和位于所述记忆体区外周围的周边区；

位线组，形成在所述衬底上并至少位于所述记忆体区中，以及所述位线组包括多条位线，所述位线沿着第一方向延伸，多条所述位线沿着第二方向依次间隔排布；

隔离线组，形成在所述衬底上并至少位于所述记忆体区中，以及所述隔离线组包括多条隔离线，所述隔离线沿着第二方向延伸，多条所述隔离线沿着第一方向依次间隔排布，并使所述隔离线与所述位线相交，以界定出节点接触窗阵列在所述记忆体区中；以及，

多条辅助线，形成在所述衬底的所述周边区中，用于界定出多个辅助接触窗在所述周边区中，多个所述辅助接触窗位于所述节点接触窗阵列的外周围。

可选的，所述节点接触窗中填充有导电材料，以构成节点接触部；所述辅助接触窗中填充有绝缘材料，以构成辅助填充柱。

可选的，所述位线还在其延伸方向上从所述记忆体区延伸至所述周边区；以及，所述多条辅助线包括若干第一辅助线，所述若干第一辅助线沿着第一方向排布在所述隔离线组的外侧，以及所述第一辅助线沿着第二方向延伸，并使所述位线中延伸至所述周边区的部分和所述第一辅助线相交，以界定出所述辅助接触窗在所述周边区中。

可选的，所述若干第一辅助线中排布在最远离所述记忆体区的第一辅助线为第一辅助边界线，所述位线中延伸至所述周边区的端部到达所述第一辅助边界线，并且不超出所述第一辅助边界线的外边界。

可选的，所述隔离线还在其延伸方向上从所述记忆体区延伸至所述周边区；以及，所述多条辅助线包括若干第二辅助线，所述若干第二辅助线沿着第二方向排布在所述位线组的外侧，以及所述第二辅助线沿着第一方向延伸，并使所述隔离线中延伸至所述周边区的部分和所述第二辅助线相交，以界定出所述辅助接触窗在所述周边区中。

可选的，所述若干第二辅助线中排布在最远离所述记忆体区的第二辅助线为第二辅助边界线，所述隔离线中延伸至所述周边区的端部到达所述第二辅助边界线，并且不超出所述第二辅助边界线的外边界。