[实用新型]CMOS数据故障清除电路、系统及电脑主机有效
申请号: | 201922164545.7 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN210573747U | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 孙武源 | 申请(专利权)人: | 广州商科信息科技有限公司 |
主分类号: | G06F11/07 | 分类号: | G06F11/07;G06F21/76 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 石慧 |
地址: | 510623 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 数据 故障 清除 电路 系统 电脑主机 | ||
1.一种CMOS数据故障清除电路,其特征在于,包括:
第一场效应管(100),所述第一场效应管(100)的源极接地,所述第一场效应管(100)的栅极用于与前置面板集线器(22)的电源开关信号端连接;
第二场效应管(200),所述第二场效应管(200)的栅极与所述第一场效应管(100)的漏极连接,所述第二场效应管(200)的漏极用于与CMOS芯片(21)的数据故障清除端口连接,所述第二场效应管(200)的源极用于与所述前置面板集线器(22)的电源开关信号端连接,所述第二场效应管(200)的漏极能够输出低电平信号。
2.根据权利要求1所述的CMOS数据故障清除电路,其特征在于,还包括:
延时电路(300),所述延时电路(300)的一端用于与所述前置面板集线器(22)的电源开关信号端连接,另一端与所述第一场效应管(100)的栅极连接。
3.根据权利要求2所述的CMOS数据故障清除电路,其特征在于,所述延时电路(300)包括:
电阻(310),一端用于与所述前置面板集线器(22)的电源开关信号端连接,另一端与所述第一场效应管(100)的栅极连接;
电容(320),一端与所述第一场效应管(100)的栅极连接,另一端接地。
4.根据权利要求1所述的CMOS数据故障清除电路,其特征在于,还包括:
第一电平输出电路(400),所述第一电平输出电路(400)连接于所述第一场效应管(100)的漏极与所述第二场效应管(200)的栅极之间,用于提供第一高电平并输送至所述第二场效应管(200)的栅极。
5.一种CMOS数据故障清除系统,其特征在于,包括:
如权利要求1-4任一项所述的CMOS数据故障清除电路(10);
CMOS芯片(21),所述第二场效应管(200)的漏极与所述CMOS芯片(21)的数据故障清除端口连接;
前置面板集线器(22),所述第一场效应管(100)的栅极与所述前置面板集线器(22)的电源开关信号端连接。
6.根据权利要求5所述的CMOS数据故障清除系统,其特征在于,所述第二场效应管(200)的源极与所述前置面板集线器(22)的电源开关信号端连接。
7.根据权利要求5所述的CMOS数据故障清除系统,其特征在于,还包括:
滤波电路(500),连接于所述前置面板集线器(22)的电源开关信号端与所述第二场效应管(200)的源极之间。
8.根据权利要求7所述的CMOS数据故障清除系统,其特征在于,所述滤波电路(500)包括:
第一二极管(510),所述第一二极管(510)的正极与所述前置面板集线器(22)的电源开关信号端连接,所述第一二极管(510)的负极连接有一高电压信号消除电路;
第二二极管(520),所述第二二极管(520)的正极接地,所述第二二极管(520)的负极与所述第一二极管(510)的正极连接。
9.根据权利要求5所述的CMOS数据故障清除系统,其特征在于,还包括:
第二电平输出电路(600),所述第二电平输出电路(600)连接于所述前置面板集线器(22)的电源开关信号端与所述第二场效应管(200)的源极之间,用于提供第二高电平。
10.一种电脑主机,其特征在于,包括如权利要求5-9任一项所述的CMOS数据故障清除系统(20)。
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