[实用新型]一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构有效
申请号: | 201922169766.3 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN211226362U | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 施光明;李宇辰;王琳;郭光伟;吉红平;陈宏博;何乃栋;李亚昆;李勇明;曹得虎;蒲泽军 | 申请(专利权)人: | 亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035;H01B17/58 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 810007 青海*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 还原 电极 绝缘 结构 | ||
1.一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构,包括电极体(8),其特征在于:所述电极体(8)上端设有电极头(5),所述电极体(8)下端安装有接电口(3),所述电极体(8)外部包裹有绝缘组件(2),所述绝缘组件(2)上端设有上凸缘(4),所述电极头(5)外部包裹有固定结构(7),所述固定结构(7)内插设有硅芯(6),所述硅芯(6)外侧套设有垫片(71),所述绝缘组件(2)插设于还原炉底盘(1)内,所述绝缘组件(2)下端设有螺纹帽(21)。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构,其特征在于:所述上凸缘(4)的底部半径大于还原炉底盘(1)所设的插口半径。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构,其特征在于:所述硅芯(6)下端与电极头(5)相接触,且硅芯(6)半径小于固定结构(7)所设硅芯(6)插口的半径。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构,其特征在于:所述上凸缘(4)与绝缘组件(2)为一体式结构。
5.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构,其特征在于:所述固定结构(7)稳定落在电极头(5)上,固定结构(7)将电极头(5)上端面进行全部覆盖,并在固定结构(7)上端面开设限位孔用来插设硅芯(6)。
6.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构,其特征在于:所述绝缘组件(2)的高度大于还原炉底盘(1)的高度。
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