[实用新型]一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构有效
| 申请号： | 201922169766.3 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN211226362U | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 施光明;李宇辰;王琳;郭光伟;吉红平;陈宏博;何乃栋;李亚昆;李勇明;曹得虎;蒲泽军 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035;H01B17/58 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 810007 青海*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 还原 电极 绝缘 结构 | ||
1.一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构，包括电极体(8)，其特征在于：所述电极体(8)上端设有电极头(5)，所述电极体(8)下端安装有接电口(3)，所述电极体(8)外部包裹有绝缘组件(2)，所述绝缘组件(2)上端设有上凸缘(4)，所述电极头(5)外部包裹有固定结构(7)，所述固定结构(7)内插设有硅芯(6)，所述硅芯(6)外侧套设有垫片(71)，所述绝缘组件(2)插设于还原炉底盘(1)内，所述绝缘组件(2)下端设有螺纹帽(21)。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构，其特征在于：所述上凸缘(4)的底部半径大于还原炉底盘(1)所设的插口半径。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构，其特征在于：所述硅芯(6)下端与电极头(5)相接触，且硅芯(6)半径小于固定结构(7)所设硅芯(6)插口的半径。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构，其特征在于：所述上凸缘(4)与绝缘组件(2)为一体式结构。
5.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构，其特征在于：所述固定结构(7)稳定落在电极头(5)上，固定结构(7)将电极头(5)上端面进行全部覆盖，并在固定结构(7)上端面开设限位孔用来插设硅芯(6)。
6.根据权利要求1所述的一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构，其特征在于：所述绝缘组件(2)的高度大于还原炉底盘(1)的高度。
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