[实用新型]一种大功率脉冲尾纤激光器组件

说明书

本实用新型提供了一种大功率脉冲尾纤激光器组件，包括TO底座、双芯片激光器组件、TO管帽、自聚焦透镜和光纤组件；双芯片激光器组件固定设置在TO底座的一端；双芯片激光器组件包括一成对设置的半导体激光器芯片，两个半导体激光器芯片的发光部互相抵持且出光方向一致；双芯片激光器组件的激光通路上依次设置有TO管帽、自聚焦透镜和光纤组件；自聚焦透镜和光纤组件均相对于TO底座固定设置；两个半导体激光器芯片发出的激光经过TO管帽后经自聚焦透镜聚焦后耦合进入光纤组件中。本实用新型通过在TO底座上将两个半导体激光器芯片组合，使其发光部同时发出的激光经耦合进入光纤后，提高耦合输出功率。

技术领域

本实用新型涉及半导体激光器设备技术领域，尤其涉及一种大功率脉冲尾纤激光器组件。

背景技术

大功率半导体激光器具有高可靠性和高稳定性，已广泛应用于光存储、光通讯、国防、工业和医疗等领域，其输出激光波长为635—1653nm，功率可调范围大。在大多数应用环境中，大功率激光器的可靠性是一个决定性因素，直接关系到激光器的品质。

常见的半导体激光器TO封装结构的出光管帽的出光侧自带聚焦透镜，可以对其发出的激光进行聚焦后向外射出。半导体激光器的输出端通常需要与光纤进行耦合，是在半导体激光器出光一侧设置同轴的光纤，使得激光发出的光耦合进光纤中。现在激光器大多采用的是单芯片的激光器，单芯片激光器的输出功率比较小，导致器件整体存在出光功率小的不足。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提出了一种能够提高半导体激光器出纤功率的大功率脉冲尾纤激光器组件。

本实用新型的技术方案是这样实现的：本实用新型提供了一种大功率脉冲尾纤激光器组件，包括TO底座(1)、双芯片激光器组件(2)、TO管帽(3)、自聚焦透镜(4)和光纤组件(5)；双芯片激光器组件(2)设置在TO底座(1) 的一端，TO底座(1)与双芯片激光器组件(2)固定连接；双芯片激光器组件 (2)包括一成对设置的半导体激光器芯片(21)，两个半导体激光器芯片(21) 的发光部互相抵持且出光方向一致；双芯片激光器组件(2)的激光通路上依次设置有TO管帽(3)、自聚焦透镜(4)和光纤组件(5)；自聚焦透镜(4)和光纤组件(5)均相对于TO底座(1)固定设置；两个半导体激光器芯片(21)发出的激光经过TO管帽(3)后经自聚焦透镜(4)聚焦后耦合进入光纤组件(5) 中。

在以上技术方案的基础上，优选的，所述双芯片激光器组件(2)还包括过渡热沉(22)、固定板(23)和整形透镜(24)，过渡热沉(22)固定设置在TO 底座(1)的端面上；所述成对设置的半导体激光器芯片(21)包括正装芯片(211) 和倒装芯片(212)，正装芯片(211)设置在过渡热沉(22)的表面并与过渡热沉(22)固定连接；正装芯片(211)远离过渡热沉(22)的一端设置有倒装芯片(212)，倒装芯片(212)与正装芯片(211)固定连接；过渡热沉(22)远离TO底座(1)的端面上还设置有固定板(23)，固定板(23)与过渡热沉(22) 固定连接，固定板(23)上设置有整形透镜(24)，整形透镜(24)与固定板(23) 固定连接，整形透镜(24)位于正装芯片(211)和倒装芯片(212)的出光部的激光通路上。

进一步优选的，所述正装芯片(211)和倒装芯片(212)的发光部位于各芯片远离TO底座(1)的端面的边缘中心处。

进一步的优选的，所述正装芯片(211)远离过渡热沉(22)一端的表面积大于倒装芯片(212)靠近过渡热沉(22)一端的表面积。

更进一步优选的，所述正装芯片(211)和倒装芯片(212)的输出波长和输出功率完全相同，正装芯片(211)和倒装芯片(212)均与TO底座(1)并联电性连接。