[实用新型]CMOS结构、图像传感器及手持装置

说明书

本申请公开了一种CMOS结构(103_1)、图像传感器及手持装置，所述CMOS结构耦接至薄膜半导体结构，所述薄膜半导体结构包括至少一像素，所述像素用来在重置阶段产生重置信号并输出至所述CMOS结构，以及在感测阶段产生感测信号，并在读出阶段才将所述感测信号输出至所述CMOS结构，所述CMOS结构包括：运放(206)，正端(+)选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述重置信号，负端(‑)选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述感测信号；第一反馈电路(201)；以及第二反馈电路(203)，用于依据所述运放的所述输出端在所述重置阶段时的输出信号，来在所述读出阶段提供反馈信号至所述运放的所述正端。

技术领域

本申请涉及半导体结构，尤其涉及一种互补金属氧化物半导体 (CMOS)结构及相关图像传感器及手持装置。

背景技术

随著手持装置上的指纹辨识功能的普及，对于屏幕上能够执行指纹辨识的区域面积要求也越来越高，使用CMOS结构实现的图像传感器，其成本远远高于使用薄膜半导体结构实现的图像传感器，但使用薄膜半导体结构实现的图像传感器有许多缺点需要克服，例如信号速度较慢及感测信号较小等问题。因此，需要进一步改良相关的电路以克服上述问题。

实用新型内容

本申请的目的之一在于公开一种CMOS结构及相关图像传感器及手持装置，来解决上述问题。

本申请的一实施例公开了一种CMOS结构，耦接至薄膜半导体结构，所述薄膜半导体结构包括至少一像素，所述像素用来在重置阶段产生重置信号并输出至所述CMOS结构，以及在感测阶段产生感测信号，并在读出阶段才将所述感测信号输出至所述CMOS结构，所述CMOS 结构包括：运放，具有正端、负端与输出端，所述正端选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述重置信号，所述负端选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述感测信号；第一反馈电路；以及第二反馈电路，用于依据所述运放的所述输出端在所述重置阶段时的输出信号，来在所述读出阶段提供反馈信号至所述运放的所述正端；其中在所述重置阶段时，所述第一反馈电路与所述运放共同组态为单位增益缓冲器；以及在所述读出阶段时，所述第一反馈电路、所述第二反馈电路及所述运放共同组态为电荷放大器。

本申请的一实施例公开了一种图像传感器，包括所述CMOS结构以及所述薄膜半导体结构。

本申请的一实施例公开了一种手持装置，用以感测一特定对象的指纹，所述手持装置包括：显示面板；以及所述图像传感器，所述薄膜半导体结构设置于所述显示面板之下，用以感测所述特定对象的指纹。

本申请的一实施例公开了一种手持装置，用以感测一特定对象的指纹，所述手持装置包括：所述图像传感器，用以感测所述特定对象的指纹；以及显示面板，和所述图像传感器的所述薄膜半导体结构整合在一起。

本申请所公开的CMOS结构及相关图像传感器及手持装置能在不影响效能的情况下降低成本。具体来说，本申请所公开的CMOS 结构及相关图像传感器及手持装置，能够解决使用薄膜半导体结构来实现像素结构时，有关感测信号读取的问题。

附图说明

图1为本申请的图像传感器的实施例的示意图。

图2为本申请的薄膜半导体结构的实施例的示意图。

图3为本申请的CMOS结构的第一实施例的示意图。

图4为图3的CMOS结构的操作时序图。

图5为图3的CMOS结构操作在所述重置阶段的组态图。

图6为图3的CMOS结构操作在所述感测阶段的组态图。

图7为图3的CMOS结构操作在所述读出阶段的组态图。

图8为本申请的CMOS结构的第二实施例的示意图。

图9为图8的CMOS结构的操作时序图。