[实用新型]一种CVD金刚石基体片式电阻器

说明书

本实用新型涉及一种CVD金刚石基体片式电阻器，包括CVD金刚石基体和设置在所述CVD金刚石基体上的导电层、氮化钽电阻层，所述导电层包括上端部分和下端部分，所述上端导电部分、氮化钽电阻层、下端导电部分依次布置在所述CVD金刚石基体的正面上，所述氮化钽电阻层两端分别与上端导电部分、下端导电部分连接，所述下端导电部分延伸至所述CVD金刚石基体的下端面以及背面，所述上端部分具有凹槽。本实用新型具有极小尺寸，功率极大、极优秀的高频性能，并且综合性能远超常规的陶瓷基体类射频电阻等优点。

技术领域

本实用新型涉及一种CVD金刚石基体片式电阻器，属于电子元器件技术领域。

背景技术

目前市场上的片式射频电阻器的制作通常有两种方式。其一是在陶瓷基板上印刷并烧结电子浆料，形成厚膜导电层和电阻层，其二是通过在陶瓷基板上印刷并烧结电子浆料形成厚膜导电层，电阻层则通过磁控溅射形成薄膜层。其特点是体积小、功率大、高频特性较好(使用频率低于20GHz)。

但两种方案都受陶瓷基板(如氧化铍、氮化铝、氧化铝等)本身的限制，导致产品功率和频率不能同时达到立项要求。

实用新型内容

本实用新型主要是克服现有技术中的不足之处，提出一种具有功率极大、极优秀的高频性能的CVD金刚石基体片式电阻器。

本实用新型解决上述技术问题所提供的技术方案是：一种CVD金刚石基体片式电阻器，包括CVD金刚石基体和设置在所述CVD金刚石基体上的导电层、氮化钽电阻层，所述导电层包括上端部分和下端部分，所述上端导电部分、氮化钽电阻层、下端导电部分依次布置在所述CVD金刚石基体的正面上，所述氮化钽电阻层两端分别与上端导电部分、下端导电部分连接，所述下端导电部分延伸至所述CVD金刚石基体的下端面以及背面，所述上端部分具有凹槽。

进一步的技术方案是，所述凹槽的个数为两个，并行设置在上端部分靠近CVD金刚石基体侧面的一端。

进一步的技术方案是，所述下端部分全部覆盖住所述CVD金刚石基体下端面以及背面。

进一步的技术方案是，所述导电层、氮化钽电阻层均采用薄膜光刻的工艺制作。

本实用新型具有以下有益效果：本实用新型具有极小尺寸，功率极大、极优秀的高频性能，并且综合性能远超常规的陶瓷基体类射频电阻等优点。

附图说明

图1是本实用新型的外形示意图；

图2是本实用新型的主视结构示意图；

图3是本实用新型的左视结构示意图。

图中标记：1-CVD金刚石基体；2-导电层；3-氮化钽电阻层。

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本实用新型做更进一步的说明。

如图1-3所示，本实用新型的一种CVD金刚石基体片式电阻器，包括CVD金刚石基体1和设置在所述CVD金刚石基体1上的导电层2、氮化钽电阻层3，所述导电层2包括上端部分和下端部分，所述上端导电部分、氮化钽电阻层3、下端导电部分依次布置在所述CVD金刚石基体1的正面上，所述氮化钽电阻层3两端分别与上端导电部分、下端导电部分连接，所述下端导电部分延伸至所述CVD金刚石基体1的下端面以及背面，所述上端部分具有两个凹槽，并行设置在上端部分靠近CVD金刚石基体1侧面的一端。

上述实施例的制备过程为：首先在CVD金刚石基体上通过磁控溅射形成各金属层，然后通过电镀的方式增加金属层的厚度，接着通过光刻工艺形成尺寸较高精度的电阻图形及微带图形，最后通过加热的方式形成满足电阻值的产品，其产品尺寸为1.6mm×0.8mm×0.38mm，功率可达50W，使用频率可达28GHz。