[实用新型]一种降低可控硅调光频闪的调光电路、装置

权利要求书

1.一种降低可控硅调光频闪的调光电路，其与LED灯串连接，包括整流模块，其特征在于，还包括相位检测模块、运算模块、恒流驱动模块和储能模块；输入交流电经过所述整流模块进行整流处理后输出线电压至所述相位检测模块、所述LED灯串和所述储能模块；所述相位检测模块根据所述线电压输出相位信息至所述运算模块；所述运算模块根据所述相位信息输出控制信号至所述恒流驱动模块；所述储能模块用于在所述线电压大于所述储能模块的充电电压时存储电能，并在所述线电压小于所述充电电压时，为所述LED灯串供电；所述恒流驱动模块用于根据所述控制信号调节所述LED灯串的恒流电流，使得所述储能模块放电后的电压大于或等于所述LED灯串的恒流拐点电压。

2.根据权利要求1所述的降低可控硅调光频闪的调光电路，其特征在于，所述恒流驱动模块包括第一恒流驱动单元和第二恒流驱动单元；所述第一恒流驱动单元用于根据所述控制信号调节所述储能模块的充电电流，所述第二恒流驱动单元用于根据所述控制信号调节所述恒流电流。

3.根据权利要求2所述的降低可控硅调光频闪的调光电路，其特征在于，所述运算模块具体用于根据所述相位信息输出第一控制信号至所述第一恒流驱动单元，并输出第二控制信号至所述第二恒流驱动单元。

4.根据权利要求2所述的降低可控硅调光频闪的调光电路，其特征在于，所述第一恒流驱动单元包括第一运算放大器、第一MOS管和第一电阻，所述第一运算放大器的输出端连接所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管的源极通过所述第一电阻接地，所述第一MOS管的漏极连接所述储能模块；所述第一运算放大器的正相输入端连接所述运算模块，所述第一运算放大器的反相输入端连接所述第一MOS管的源极。

5.根据权利要求2所述的降低可控硅调光频闪的调光电路，其特征在于，所述第二恒流驱动单元包括第二运算放大器、第二MOS管和第二电阻；所述第二运算放大器的输出端连接所述第二MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极通过所述第二电阻接地，所述第二MOS管的漏极连接所述LED灯串的输出端；所述第二运算放大器的正相输入端连接所述运算模块，所述第二运算放大器的反相输入端连接所述第二MOS管的源极。

6.根据权利要求1所述的降低可控硅调光频闪的调光电路，其特征在于，所述运算模块包括第三运算放大器、第四运算放大器、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻；所述第三运算放大器的输出端连接所述第三MOS管的栅极，所述第三MOS管的漏极连接所述第四MOS管的栅极、所述第四MOS管的源极和所述第五MOS管的栅极，所述第四MOS管的漏极连接所述第五MOS管的漏极，所述第五MOS管的源极连接所述恒流驱动模块和所述第六电阻的一端；所述第三MOS管的源极连接所述第五电阻的一端，所述第五电阻的另一端连接所述第四运算放大器的输出端和所述第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端连接所述第四运算放大器的反相输入端和所述第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端和所述第六电阻的另一端均接地；所述第四运算放大器的正相输入端连接所述相位检测模块和所述恒流驱动模块。

7.根据权利要求6所述的降低可控硅调光频闪的调光电路，其特征在于，所述相位检测模块包括第七电阻、第八电阻和第一电容；所述第七电阻连接所述整流模块和所述LED灯串的输入端，所述第七电阻的另一端连接所述第四运算放大器的正相输入端、所述第一电容的一端和所述第八电阻的一端，所述第八电阻的另一端和所述第一电容的另一端均接地。

8.根据权利要求6所述的降低可控硅调光频闪的调光电路，其特征在于，所述第四MOS管和所述第五MOS管均为P沟道MOS管。

9.一种降低可控硅调光频闪的调光装置，包括外壳，所述外壳内设置有PCB板，其特征在于，所述PCB板上设置有如权利要求1-8任意一项所述的降低可控硅调光频闪的调光电路。