[实用新型]缓冲装置、芯片及电子设备

权利要求书

1.一种缓冲装置，其特征在于，所述装置包括：

电压调整模块，包括第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS，所述电压调整模块用于接收输入电压，并利用所述第一PMOS的阈值电压对所述输入电压进行调整，输出驱动电压；

缓冲模块，电连接于所述电压调整模块，用于接收输入信号，并在所述驱动电压下对所述输入信号进行缓冲，输出缓冲后的信号。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压调整模块还包括第一电流源、第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻及第一电容，其中：

所述第一电流源的正极电连接于所述第三电阻的第一端，用于接收所述输入电压，所述第一电流源的负极电连接于所述第一PMOS的源极、所述第一NMOS的栅极、所述第一电容的第一端，其中，所述输入电压为电源电压，

所述第一PMOS的栅极电连接于所述第一PMOS的漏极及所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端电连接于所述第二电阻的第一端，

所述第三电阻的第二端电连接于所述第一NMOS的漏极，

所述第一NMOS的源极电连接于所述第四电阻的第一端及所述缓冲模块，用于输出所述驱动电压，

所述第二电阻的第二端、所述第一电容的第二端、所述第四电阻的第二端接地。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压调整模块还包括第二电流源、第二NMOS、第五电阻、第六电阻、第七电阻及第二电容，其中：

所述第二电流源的正极电连接于第六电阻的第一端，用于接收电源电压，所述第二电流源的负极电连接于所述第一PMOS的源极、所述第二NMOS的栅极、所述第二电容的第一端，

所述第一PMOS的栅极用于接收所述输入电压，所述第一PMOS的漏极电连接于所述第五电阻的第一端，

所述第六电阻的第二端电连接于所述第二NMOS的漏极，

所述第二NMOS的源极电连接于所述第七电阻的第一端及所述缓冲模块，用于输出所述驱动电压，

所述第五电阻的第二端、所述第二电容的第二端、所述第七电阻的第二端接地。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压调整模块还包括第一运算放大器、第八电阻、第九电阻、第十电阻，其中：

所述第一运算放大器的正向输入端用于接收所述输入电压，所述第一运算放大器的输出端电连接于所述第一PMOS的源极及所述缓冲模块，用于输出所述驱动电压，

所述第一PMOS的漏极电连接于所述第一PMOS的栅极及所述第八电阻的第一端，所述第八电阻的第二端电连接于所述第九电阻的第一端，所述第九电阻的第二端电连接于所述第十电阻的第一端，所述第十电阻的第二端接地，

所述第一运算放大器的负向输入端电连接于所述第八电阻的第二端及所述第九电阻的第一端。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压调整模块还包括第二运算放大器、第三运算放大器、第二PMOS、第三NMOS、第四NMOS、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第三电流源，其中：

所述第一PMOS的源极电连接于所述第十一电阻的第一端，用于接收电源电压，所述第一PMOS的漏极电连接于所述第三电流源的正极、所述第一PMOS的栅极及所述第二运算放大器的正向输入端，

所述第二运算放大器的负向输入端电连接于所述第十一电阻的第二端、所述第二PMOS的源极，所述第二运算放大器的输出端电连接于所述第二PMOS的栅极，

所述第二PMOS的漏极电连接于所述第三NMOS的漏极、所述第三NMOS的栅极、所述第四NMOS的栅极，

所述第四NMOS的漏极电连接于所述第三运算放大器的负向输入端、所述第十二电阻的第二端、所述第十三电阻的第一端，

所述第三运算放大器的正向输入端用于接收所述输入电压，所述第三运算放大器的输出端电连接于所述第十二电阻的第一端及所述缓冲模块，用于输出所述驱动电压，

所述第三电流源的负极、所述第三NMOS的源极、所述第四NMOS的源极、所述第十三电阻的第二端接地。