[实用新型]一种中子反射谱仪的光路结构有效

专利信息
申请号: 201922196200.X 申请日: 2019-12-10
公开(公告)号: CN213022917U 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 陈立甲 申请(专利权)人: 东莞理工学院
主分类号: G01N23/00 分类号: G01N23/00;G01N23/02;G01N23/207;G01T3/00
代理公司: 广东勤诺律师事务所 44595 代理人: 张雪华
地址: 523000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 中子 反射 结构
【说明书】:

发明公开了一种中子反射谱仪的光路结构,主要包括沿着入射中子束方向顺序依次放置在精密花岗岩地面入射臂、样品台和反射臂,所述入射臂,包括第一狭缝、第二狭缝、聚焦导管、第三狭缝、第二平移台、第二平台;所述样品台,包括低温恒温器、底座、上夹板、下夹板、样品、移动板、升降机构,所述反射臂,包括反射臂工作台、第四狭缝、第一支撑柱、第三平移台、升降台,入射臂与样品台中设置有滑轮,可以使设备方便搬运,避免了搬运困难,且入射臂工作台中设置有储纳箱,可以存放维护工具,节省了维护难度,在不使用设备的时候,将反射臂工作台上的设备存放到反射臂工作台中,可以避免空气中的水分与设备发生腐蚀情况。

技术领域

本发明涉及中子反射技术领域,尤其涉及一种中子反射谱仪的光路结构。

背景技术

中子反射技术是通过测量界面薄膜材料对中子的反射分析获知界面处 0.5~500nm尺度范围内结构成分等信息的先进材料表征技术,一方面,由于中子具有较强的穿透能力和不带电等独特属性,使得中子反射技术日益成为薄膜材料膜层结构的重要研究手段;另一方面,由于中子具有自旋磁矩,自旋取向单一的中子,也称之为极化中子,与磁性材料的磁矩之间的相互作用可以被反射后的中子所记录,使得中子反射技术是获取这些磁性薄膜材料的磁结构信息和测量磁性沿膜后方向深度剖面分布的有力手段,因此,如果能够分别测量非极化和极化的中子反射对于磁性薄膜材料具有非常重要的意义。

另外,中子还具有一定的静止质量,不同能量(波长)的中子在飞行一段距离后到达探测器是有先有后的,因此,通过采用中子飞行时间的办法可以实现测量数据的记录,即根据时间先后对散射或反射后的中子进行标定,这一方法特别适合中子波长不固定的散裂中子源中子谱仪,但是飞行时间法中子谱仪的精度也将取决于中子飞行距离的精度,固定的飞行距离将大大降低数据分析的难度,减少数据的误差。目前,由于时间飞行方法简化了谱仪结构的设计,在反应堆上通过设置特定的斩波器也开始得到应用。

现在的中子反射谱仪因为体积比较大,且重量较重,在搬运过程中会带来很大的困扰,而且设备在不使用的时候,总是暴露在大气当中,大气当中具有很多腐蚀成分,时间一久,容易发生腐蚀情况,而维护的时候需要事前准备好维护工具,这样子给维护人员带来了很多不便。

发明内容

一种中子反射谱仪的光路结构,主要包括沿着入射中子束方向顺序依次放置在精密花岗岩地面入射臂、样品台和反射臂,所述入射臂,包括第一狭缝、第二狭缝、聚焦导管、第三狭缝、第二平移台、第二平台、第一调节旋钮、储纳箱、第一支撑脚、入射臂工作台、入射臂底座、第一平台、第一平移台、齿条、圆形套、第二调节旋钮、固定柱、调节外圈、第一气缸、滚轮,所述入射臂工作台上设置有精密花岗岩,其中入射臂底座设置在精密花岗岩表面上,入射臂底座沿着入射中子束方向的入射端设置有第一平台,入射臂底座的沿着入射中子束方向的出射端固定安装有第二平台,第一平台上设置有第一平移台,第一平移台通过滑槽与第一平台连接,第二平台上设置有第二平移台,通过滑槽与第二平台连接,且连接处均设置有第一调节旋钮,第一平移台和第二平移台上均设置有滑块,滑块上设置有支撑柱,支撑柱上设置有齿条,支撑柱上沿着入射中子束方向的入射端方向依次设置有第一狭缝、第二狭缝、聚焦导管和第三狭缝;

所述第一狭缝由圆形套、第二调节旋钮、固定柱和调节外圈构成,圆形套下方设置有第二调节旋钮和固定柱,圆形套表面设置有调节外圈,调节外圈的一端与固定柱固定连接,另一端与第二调节旋钮连接;

所述样品台,包括低温恒温器、底座、上夹板、下夹板、样品、移动板、第一支撑板、第一螺杆、升降机构、第二支撑板、蜗轮、蜗杆、移动块、滑槽、第一凹槽、滑轮、第二支撑脚、第一电机、皮带、第三螺杆、冷头、第三支撑板、第二气缸,所述底座中水平设置有第三支撑板,第三支撑板下方设置有第二气缸,第二气缸下方设置有滑轮,底座下方还设置有第二支撑脚,第二支撑脚下方设置有防滑胶垫,第三支撑板上方设置有蜗杆传动结构,蜗杆传动结构由蜗杆和涡轮组成,涡轮轴心方向垂直于第三支撑板,涡轮上方连接有第二支撑板,当涡轮转动的时候,将带动第二支撑板转动,第二支撑板上设置有升降机构,升降机构上设置有第一支撑板;

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