[实用新型]一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构有效
| 申请号： | 201922200106.7 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN211017086U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 左万胜;钮应喜;程海英;钟敏;郗修臻;张晓洪;刘锦锦;刘洋;史田超 | 申请（专利权）人： | 启迪新材料（芜湖）有限公司;芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 孔径 垂直 电子 晶体管 外延 结构 | ||
1.一种电流孔径垂直电子晶体管外延结构，其特征在于，所述电流孔径垂直电子晶体管外延结构由下至上依次包括：GaN自支撑衬底或硅基衬底、n型掺杂 GaN漂移层A、多周期GaN/AlGaN隧穿层、n型掺杂GaN漂移层B、导通孔径层、GaN沟道层；并且在所述导通孔径层的两侧还分别设有电流阻挡层。
2.根据权利要求1所述的电流孔径垂直电子晶体管外延结构，其特征在于，所述多周期GaN/AlGaN隧穿层为多周期GaN/AlxGa1-xN隧穿层，其中0x0.3。
3.根据权利要求1所述的电流孔径垂直电子晶体管外延结构，其特征在于，形成所述n型掺杂GaN漂移层A、n型掺杂GaN漂移层B的半导体材料均是硅掺杂的n型 GaN半导体材料。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的电流孔径垂直电子晶体管外延结构，其特征在于，所述n型掺杂GaN漂移层A、n型掺杂GaN漂移层B的厚度分别为1~2μm、2~3μm。
5.根据权利要求1所述的电流孔径垂直电子晶体管外延结构，其特征在于，所述多周期GaN/AlGaN隧穿层的周期数为3~5。
6.根据权利要求1所述的电流孔径垂直电子晶体管外延结构，其特征在于，所述多周期GaN/AlGaN隧穿层中，GaN厚度为1-1.5nm，AlGaN厚度为1-2nm。
7.根据权利要求1所述的电流孔径垂直电子晶体管外延结构，其特征在于，所述导通孔径层由n型GaN半导体材料形成。
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