[实用新型]一种解决EMI辐射的扩频电路有效
申请号: | 201922201332.7 | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN211018644U | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 张海道;胡丽娟;钟裕祥 | 申请(专利权)人: | 深圳市瑞劲电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/44 | 分类号: | H02M1/44 |
代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 吴倩 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 解决 emi 辐射 电路 | ||
1.一种解决EMI辐射的扩频电路,包括输入电源U1,其特征在于,所述电源U1的正极连接有电容C1的一端和感应线圈L1的一端,所述电容C1的另一端连接有电源U1的负极,所述感应线圈L1的另一端连接电容C2的一端、二极管VD4的负极、变压器T1初级线圈的一端,所述二极管VD4的正极连接有二极管VD3的正极,所述二极管VD3的负极连接有三极管VT1的集电极、电阻R2的一端、变压器T1初级线圈的另一端,所述三极管VT1的基极连接有二极管VD2的负极和电阻R1的一端,所述电阻R1的另一端连接有二极管VD2的正极和脉冲宽度调制PWM,所述三极管VT1的发射极连接有电源U1的负极和电容C3的一端,所述电容C3的另一端连接有电阻R2的另一端,所述变压器T1的次级线圈的一端连接有电阻R3的一端和二极管VD1的正极,所述电阻R3的另一端连接有电容C4的一端,所述电容C4的另一端连接有二极管VD1的负极、电容C5的一端和电源U2的正极,所述变压器T1次级线圈的另一端连接有电容C5的另一端和电源U2的负极。
2.根据权利要求1所述的一种解决EMI辐射的扩频电路,其特征在于,所述二极管VD3型号为2CW17。
3.根据权利要求1所述的一种解决EMI辐射的扩频电路,其特征在于,所述二极管VD1、二极管VD2和二极管VD4型号为1N4007。
4.根据权利要求1所述的一种解决EMI辐射的扩频电路,其特征在于,所述三极管VT1型号为3DG6C6。
5.根据权利要求1所述的一种解决EMI辐射的扩频电路,其特征在于,所述电阻R1、电阻R2和电阻R3阻值依次为1kΩ、8kΩ和2kΩ。
6.根据权利要求1所述的一种解决EMI辐射的扩频电路,其特征在于,所述脉冲宽度调制PWM的型号为SG3524。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置