[实用新型]一种基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器

权利要求书

1.一种基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器，包括集成基片，其特征在于，所述集成基片上设有一维多层电磁结构，所述一维多层电磁结构为(AB)ⁿ型，A介质层为负介电常数材料层，B介质层为双轴各向异性人工电磁材料层，n为大于1的自然数。

2.根据权利要求1所述的基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器，其特征在于，A介质层的介电常数为其中ω_pe是电等离子体的振荡频率，ω为入射电磁波的频率；B介质层的介电常数为其中ε_rx、ε_ry、ε_rz为分别是主对角线上的相对介电常数。

3.根据权利要求1或2所述的基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器，其特征在于，n为10。

4.根据权利要求1或2所述的基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器，其特征在于，A介质层和B介质层的相对磁导率为1。

5.根据权利要求1所述的基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器，其特征在于，A介质层的介电常数为其中ω_pe＝1.424×10¹²Hz，ω为入射电磁波的频率；B介质层的相对介电常数为ε_rx＝2.91，ε_ry＝1.0，ε_rz＝2.57。

6.根据权利要求1或5所述的基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器，其特征在于，A介质层的厚度为4×10^-4～7×10^-4m，B介质层的厚度为1.5×10^-3～3.0×10^-3m。

7.根据权利要求6所述的基于一维多层人工电磁结构的TM与TE波分离器，其特征在于，A介质层的厚度为6×10^-4m，B介质层的厚度为2×10^-3m。