[实用新型]一种LED显示芯片

说明书

本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种LED显示芯片，其中，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置透明电极层，所述透明电极层上设置焊盘电极层，所述焊盘电极层包括多个焊盘电极，所述焊盘电极层分别与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。本实用新型还公开了一种LED显示芯片的制作方法。本实用新型提供的LED显示芯片可以实现超小间距的显示，从而为芯片小型化的实现提供了基础。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种LED显示芯片。

背景技术

传统LED芯片都是单一的单元，如图1所示，只能作为一个单一的发光体进行控制，这样当多个单元在一起时由于相邻单元之间还需要间距，因此在应用时占据的空间会非常大，不利于芯片小型化的发展趋势。

发明内容

本实用新型提供了一种LED显示芯片及LED显示芯片的制作方法，解决相关技术中存在的芯片均为单一单元的问题。

作为本实用新型的第一个方面，提供一种LED显示芯片，其中，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置透明电极层，所述透明电极层上设置焊盘电极层，所述焊盘电极层包括多个焊盘电极，所述焊盘电极层分别与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。

进一步地，所述焊盘电极层包括第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极，所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极均与所述透明电极层连接，所述第三焊盘电极与所述第一导电类型氮化镓层连接。

进一步地，所述第三焊盘电极穿过通孔与所述第一导电类型氮化镓层连接，其中所述通孔贯穿所述量子阱层和第二导电类型氮化镓层。

进一步地，所述焊盘电极层与所述透明电极层之间设置有绝缘层，所述通孔的侧壁上均设置有绝缘层。

进一步地，所述LED显示芯片包括N型LED显示芯片和P型LED显示芯片，当所述LED显示芯片为N型LED显示芯片时，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；当所述LED显示芯片为P型LED显示芯片时，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

进一步地，所述衬底包括蓝宝石衬底。

作为本实用新型的另一个方面，提供一种LED显示芯片的制作方法，其中，包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次生长第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层；

对所述量子阱层和所述第二导电类型氮化镓层进行刻蚀以暴露所述第一导电类型氮化镓层；

在所述第二导电类型氮化镓层上制作透明电极层；

在所述透明电极层上制作绝缘层；

在所述绝缘层上制作焊盘电极层，且所述焊盘电极层与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接。

进一步地，所述对所述量子阱层和所述第二导电类型氮化镓层进行刻蚀以暴露所述第一导电类型氮化镓层，包括：

在所述第二导电类型氮化镓层上涂覆光刻胶；

根据掩膜图形对所述光刻胶进行光照；

对光照后的所述量子阱层和所述第二导电类型氮化镓层进行刻蚀，暴露出所述第一导电类型氮化镓层。

进一步地，所述在所述绝缘层上制作焊盘电极层，且所述焊盘电极层与所述第一导电类型氮化镓层和所述透明电极层连接，包括：

根据光刻胶掩膜技术制作焊盘电极图形；