[实用新型]一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路有效
申请号: | 201922219402.1 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN210898531U | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 王兴乐;何颖儿;王顺安;王深彪;王兴安 | 申请(专利权)人: | 深圳市硕凯电子股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H02H5/04;H02H9/02 |
代理公司: | 东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 | 代理人: | 莫杰华 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低残压 led 驱动 4000 浪涌 分段 吸收 保护 电路 | ||
1.一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路,其特征在于:包括AC接入端L-N端,从该L-N端至负载之间依次电连接有第一级保护电路、第二级保护电路和第三级保护电路;第一级保护电路包括压敏电阻MOV1和陶瓷气体放电管GDT,压敏电阻MOV1和陶瓷气体放电管GDT串联后并联于L端与N端之间;第二级保护电路包括压敏电阻MOV2,并联于L端与N端之间;第三级保护电路包括瞬态抑制二极管TVS,并联于L端与N端之间;第一级保护电路与第二级保护电路之间并联有串接的共模电感L1和差模电感L2;第二级保护电路与第三级保护电路之间并联有串接的共模电感L3和差模电感L4。
2.根据权利要求1所述的一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路,其特征在于:所述压敏电阻MOV1和陶瓷气体放电管GDT还串联有保险丝F1。
3.根据权利要求2所述的一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路,其特征在于:所述保险丝F1的规格为5A。
4.根据权利要求1所述的一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路,其特征在于:所述差模电感L2与压敏电阻MOV2之间串联有保险丝F2。
5.根据权利要求4所述的一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路,其特征在于:所述保险丝F2的规格为3.15A。
6.根据权利要求1所述的一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路,其特征在于:所述压敏电阻MOV2后级并联有安规电容C1。
7.根据权利要求6所述的一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路,其特征在于:所述安规电容C1的电容值为0.47uF。
8.根据权利要求1所述的一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路,其特征在于:所述瞬态抑制二极管TVS后级并联有安规电容C2。
9.根据权利要求8所述的一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路,其特征在于:所述安规电容C2的电容值为0.47uF。
10.根据权利要求1所述的一种低残压的LED驱动4000V浪涌分段吸收保护电路,其特征在于:所述压敏电阻MOV1的规格为10D331KJ;所述陶瓷气体放电管GDT的规格为SC2E5-350LL;所述共模电感L1的电感量为2mH,差模电感L2、L4的电感量为100uH;所述压敏电阻MOV2的规格为10D271K;所述共模电感L3的电感量为1mH;所述瞬态抑制二极管TVS的规格为SMDJ250CA。
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