[实用新型]降低晶圆离子污染的高均匀性晶圆加热器有效
申请号: | 201922229131.8 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN211455653U | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 游利;贾坤良 | 申请(专利权)人: | 靖江先锋半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 靖江市靖泰专利事务所(普通合伙) 32219 | 代理人: | 陆平 |
地址: | 214500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 降低 离子 污染 均匀 性晶圆 加热器 | ||
1.降低晶圆离子污染的高均匀性晶圆加热器,包括金属加热器主体(1)、金属固定环(5),其特征在于:所述金属加热器主体(1)设置有盘体(1-1)、盘体(1-1)底部设置有安装轴(1-9)、安装轴(1-9)内设置有测温热电偶(1-7)和若干个气体管路(1-8),金属加热器主体(1)的盘体(1-1)内嵌设有若干个方型铠装加热管(2)和石墨匀热片(3),顶面设置有陶瓷匀热盘(4);所述盘体(1-1)和陶瓷匀热盘(4)外围设置有金属固定环(5);所述盘体(1-1)上设置有表面匀气沟槽(1-2)、外圈密封面(1-3)、内圈密封面(1-4)、方型加热管安装沟槽(1-5)和石墨匀热片安装槽(1-6);所述方型铠装加热管(2)设置有内区方型铠装加热管(2-1)和外区方型铠装加热管(2-2),所述方型铠装加热管外壳设置为方型,内部设置为圆形铠装加热管,加热管外壳和圆形铠装加热管之间设置有导热层(2-4);所述的陶瓷匀热盘(4)顶面均布有若干数量的支撑晶圆的小凸台(4-1),底面设置有密封面(4-2)。
2.根据权利要求1所述的降低晶圆离子污染的高均匀性晶圆加热器,其特征在于:所述的石墨匀热片(3)设置有内区石墨匀热板(3-1)和外区石墨匀热板(3-3)。
3.根据权利要求1所述的降低晶圆离子污染的高均匀性晶圆加热器,其特征在于:所述的金属固定环(5)外周设置有喷砂层。
4.根据权利要求1所述的降低晶圆离子污染的高均匀性晶圆加热器,其特征在于:所述金属加热器主体(1)由盘体(1-1)、安装轴(1-9)、测温热电偶(1-7)和若干个气体管路(1-8)通过自熔焊接、电子束焊接方式焊接组合而成。
5.根据权利要求1或4所述的降低晶圆离子污染的高均匀性晶圆加热器,其特征在于:所述盘体(1-1)采用材料为:工作温度800-1150度的耐高温不锈钢或同等高温的合金。
6.根据权利要求1所述的降低晶圆离子污染的高均匀性晶圆加热器,其特征在于:所述导热层(2-4)采用材料为:导热良好的金属或者更耐高温的氧化镁粉。
7.根据权利要求1所述的降低晶圆离子污染的高均匀性晶圆加热器,其特征在于:所述的测温热电偶为带弹性伸缩的陶瓷盘测温热电偶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造