[实用新型]MEMS设备有效

专利信息
申请号: 201922231187.7 申请日: 2019-12-13
公开(公告)号: CN211770290U 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: R·卡尔米纳蒂;S·克斯坦蒂尼;R·吉亚诺拉;L·蒙塔格纳;F·M·C·卡尔皮格纳诺 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 吕世磊
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: mems 设备
【权利要求书】:

1.一种MEMS设备,其特征在于,包括:

固定结构;

悬置结构,由所述固定结构承载;

支撑结构,将所述悬置结构耦合到所述固定结构,并且被配置为允许所述悬置结构相对于所述固定结构具有至少一个自由度;

致动线圈,在所述悬置结构上延伸,所述致动线圈包括第一端匝、第二端匝、以及中间匝,所述中间匝被布置在所述第一端匝和所述第二端匝之间;以及

虚设偏置结构,包括与所述第一端匝相邻的虚设偏置区域,所述虚设偏置区域被电耦合到所述中间匝。

2.根据权利要求1所述的MEMS设备,其特征在于,所述第一端匝是所述致动线圈的内匝,所述第二端匝是所述致动线圈的外匝,以及所述虚设偏置区域与所述内匝相邻。

3.根据权利要求1所述的MEMS设备,其特征在于,所述虚设偏置结构包括掩埋传导性区域,所述掩埋传导性区域在所述致动线圈下方延伸。

4.根据权利要求3所述的MEMS设备,其特征在于,还包括在所述悬置结构和所述致动线圈之间延伸的钝化层,其中所述掩埋传导性区域在所述钝化层中延伸,并且所述掩埋传导性区域通过电连接部分被电耦合到所述中间匝以及所述虚设偏置区域,所述电连接部分延伸穿过所述钝化层。

5.根据权利要求4所述的MEMS设备,其特征在于,还包括导电区域和电连接区域,所述导电区域形成在所述固定结构中,所述电连接区域在所述导电区域与所述第一端匝之间在所述钝化层内延伸,所述电连接区域形成在所述掩埋传导性区域的相同传导性材料层中。

6.根据权利要求3所述的MEMS设备,其特征在于,所述致动线圈的所述第一端匝、所述第二端匝、以及所述中间匝各自包括种子区域以及被布置在所述种子区域上的传导性质量块;以及其中所述虚设偏置结构包括虚设种子部分,所述虚设种子部分形成在所述第一端匝、第二端匝、以及中间匝的所述种子区域的相同种子层中。

7.根据权利要求1所述的MEMS设备,其特征在于,形成MEMS微反射镜。

8.一种MEMS设备,其特征在于,包括:

固定结构;

悬置结构,由所述固定结构承载;

支撑结构,将所述悬置结构耦合到所述固定结构;

致动线圈,在所述悬置结构上延伸,所述致动线圈包括第一端匝、第二端匝、以及中间匝,所述中间匝被布置在所述第一端匝和所述第二端匝之间;以及

虚设偏置结构,包括被电耦合到所述中间匝的虚设偏置区域。

9.根据权利要求8所述的MEMS设备,其特征在于,所述第一端匝是所述致动线圈的内匝,并且其中所述第二端匝是所述致动线圈的外匝。

10.根据权利要求8所述的MEMS设备,其特征在于,所述虚设偏置结构包括掩埋传导性区域。

11.根据权利要求10所述的MEMS设备,其特征在于,还包括在所述悬置结构和所述致动线圈之间延伸的钝化层,其中所述掩埋传导性区域在所述钝化层中延伸,并且所述掩埋传导性区域被电耦合到所述中间匝以及所述虚设偏置区域。

12.根据权利要求11所述的MEMS设备,其特征在于,还包括导电区域和电连接区域,所述导电区域形成在所述固定结构中,所述电连接区域在所述导电区域与所述第一端匝之间延伸。

13.根据权利要求11所述的MEMS设备,其特征在于,所述致动线圈的所述第一端匝、所述第二端匝、以及所述中间匝各自包括种子区域以及被布置在所述种子区域上的传导性质量块;以及其中所述虚设偏置结构包括虚设种子部分,所述虚设种子部分形成在所述第一端匝、第二端匝、以及中间匝的所述种子区域的相同种子层中。

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