[实用新型]一种晶片顶出件机构及晶片分散转移装置有效
申请号: | 201922234173.0 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN211238208U | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 彭康伟;林素慧;何安和 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/677 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 秦贺余 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 顶出件 机构 分散 转移 装置 | ||
1.一种顶出件机构,其特征在于:该顶出件机构包括安装部和若干顶针单元;所述顶针单元用于从承载有若干晶片的第一晶片载体上顶出晶片,所述第一晶片载体上晶片的分布与顶针单元的分布相匹配;所述安装部开设有与顶针单元一一对应的相互平行的安装孔,所述顶针单元通过所述安装孔安装在所述安装部。
2.根据权利要求1所述的顶出件机构,其特征在于:所述顶针单元包括顶针、与顶针连接的顶针杆和与所述顶针杆连接的往复驱动机构,所述顶针从所述安装孔向外延伸。
3.根据权利要求2所述的顶出件机构,其特征在于:所述往复驱动机构包括与所述顶针杆连接的直线电机、电机与曲柄连杆组合驱动机构或电机与凸轮推杆组合驱动机构。
4.根据权利要求1所述的顶出件机构,其特征在于:所述安装孔内安装有套筒或直线轴承。
5.根据权利要求1-4任一所述的顶出件机构,其特征在于:所述顶出件机构能够至少部分间隔地顶出多个晶片。
6.一种晶片分散转移装置,其特征在于:该分散转移装置包括至少一个根据权利要求1-5任一所述的顶出件机构、至少一个承载所述第一晶片载体的第一承载结构、至少一个承载第二晶片载体的第二承载结构及实现顶出件机构相对于第一承载结构和第二承载结构移动或者实现顶出件机构和第一承载结构相对于第二承载结构移动或者实现第一承载结构相对于顶出件机构和第二承载结构移动的移位机构,所述第二晶片载体用于接收从所述第一晶片载体顶出的晶片,所述第一承载结构和所述第二承载结构中至少一个的数目为多个。
7.根据权利要求6所述的晶片分散转移装置,其特征在于:所述移位机构为闭环式输送装置,多个所述第一承载结构或多个所述第二承载结构沿周向分布在所述闭环式输送装置上。
8.根据权利要求7所述的晶片分散转移装置,其特征在于:所述闭环式输送装置为转盘。
9.根据权利要求6所述的晶片分散转移装置,其特征在于:所述移位机构为开环式输送装置,多个所述第一承载结构或多个所述第二承载结构顺序分布在所述开环式输送装置上。
10.根据权利要求9所述的晶片分散转移装置,其特征在于:所述开环式输送装置为传输带。
11.根据权利要求6所述的晶片分散转移装置,其特征在于:所述移位机构为机械臂,所述顶出件机构或者所述顶出件机构和所述第一承载机构安装在所述机械臂上。
12.根据权利要求6-11任一所述的晶片分散转移装置,其特征在于:所述第一承载结构为一个,所述第二承载结构为多个,所述顶出件机构为一个。
13.根据权利要求6-11任一所述的晶片分散转移装置,其特征在于:所述第一承载结构为多个,所述第二承载结构为一个,所述顶出件机构为一个或多个。
14.根据权利要求6-11任一所述的晶片分散转移装置,其特征在于:所述第一承载结构为多个,所述第二承载结构为多个,所述顶出件机构为一个或多个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造