[实用新型]自旋探测器

权利要求书

1.一种自旋探测器，其特征在于包括至少一个探测单元，所述探测单元包括自旋发光二极管、光电放大转换器以及能够在所述自旋发光二极管与光电放大转换器之间传导圆偏振光的反射模块，所述光电放大转换器能够将经所述反射模块导入的圆偏振光转化形成电信号。

2.根据权利要求1所述的自旋探测器，其特征在于：所述反射模块包括金属反射层。

3.根据权利要求2所述的自旋探测器，其特征在于：所述金属反射层的厚度为50-200nm。

4.根据权利要求2所述的自旋探测器，其特征在于：所述反射模块还包括牺牲层载体，所述金属反射层设置在所述牺牲层载体上。

5.根据权利要求2所述的自旋探测器，其特征在于：所述光电放大转换器包括圆偏振光检测器和电荷耦合元件，所述圆偏振光检测器设置在所述电荷耦合元件上。

6.根据权利要求5所述的自旋探测器，其特征在于：所述光电放大转换器与所述自旋发光二极管集成设置为一体。

7.根据权利要求5所述的自旋探测器，其特征在于：所述反射模块设置在所述光电放大转换器的上方，所述自旋发光二极管设置在光电放大转换器和反射模块的一侧。

8.根据权利要求1所述的自旋探测器，其特征在于：所述自旋发光二极管包括依次叠层设置的GaAs间隔层、InGaAs量子阱或量子点层、GaAs层、GaAs缓冲层以及GaAs层。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的自旋探测器，其特征在于包括由复数个所述探测单元组成的探测阵列，相邻两个所述探测单元之间还设有金属隔离层，所述金属隔离层至少用于阻止一探测单元内的偏振光进入另一探测单元。

10.根据权利要求9所述的自旋探测器，其特征在于：所述金属隔离层的厚度为50-200nm。

11.根据权利要求9所述的自旋探测器，其特征在于：所述探测单元以及所述金属隔离层设置在半导体基片上。