[实用新型]一种半导体激光治疗仪

权利要求书

1.一种半导体激光治疗仪，其特征在于包括壳体(1)、光锥(3)、冷却口(4)、冷风机口(5)以及引导部(6)，其中，

所述光锥(3)设置在所述壳体(1)的下方；

在所述光锥(3)的一侧设置有所述引导部(6)，所述引导部(6)包括外壳(61)和内壁(63)，所述外壳(61)的上部与所述内壁(63)连接并在内部形成冷风道(62)；

所述冷风机口(5)连接到所述外壳(61)的上部的外侧，并且与所述冷风道(62)贯通；

所述冷却口(4)设置在所述光锥(3)的下方，所述冷却口(4)连接到所述外壳(61)的下部；

所述外壳(61)与所述内壁(63)之间还形成出风口(64)，所述出风口(64)与所述冷风道(62)贯通，并且所述出风口(64)位于所述壳体(1)的下表面(11)与所述冷却口(4)之间的位置；

从所述冷风机口(5)送入的冷风经所述冷风道(62)和所述出风口(64)后吹向所述光锥(3)和所述冷却口(4)。

2.如权利要求1所述的半导体激光治疗仪，其特征在于：所述冷风道(62)倾斜设置，所述冷风道(62)的中心线与所述光锥(3)的中心线相交。

3.如权利要求1所述的半导体激光治疗仪，其特征在于：所述外壳(61)是C形，开口朝向所述光锥(3)的侧面。

4.如权利要求1所述的半导体激光治疗仪，其特征在于还包括套设在所述光锥(3)外面的光锥套(2)，并且，所述光锥套(2)固定在所述壳体(1)的下表面(11)上；所述出风口(64)设置在所述光锥套(2)的下表面(21)附近。

5.如权利要求1所述的半导体激光治疗仪，其特征在于：

所述出风口(64)到所述光锥(3)的出光口(33)的中心点的距离不小于40毫米。

6.如权利要求1所述的半导体激光治疗仪，其特征在于：

所述冷却口(4)具有上表面(42)和下表面(41)，

所述光锥(3)的出光口(33)比所述冷却口(4)的所述上表面(42)更接近所述冷却口(4)的所述下表面(41)，所述出光口(33)到所述冷却口(4)的所述下表面(41)的距离在2～6毫米。

7.如权利要求1所述的半导体激光治疗仪，其特征在于：

所述冷却口(4)围绕所述光锥(3)的出光口(33)设置，所述冷却口(4)的形状为类椭圆形。

8.如权利要求1所述的半导体激光治疗仪，其特征在于：还包括罩体(7)，所述罩体(7)设置在所述引导部(6)的相对侧，所述罩体(7)卡固在所述壳体(1)、所述冷却口(4)以及所述外壳(61)之间。

9.如权利要求1所述的半导体激光治疗仪，其特征在于：在壳体(1)内设置有激光器阵列，所述光锥(3)设置在激光器阵列的前方，所述激光器阵列发出波长为755nm的激光。

10.如权利要求9所述的半导体激光治疗仪，其特征在于：

所述激光器阵列是VCSEL激光器阵列，所述激光器阵列矩形排列，所述光锥(3)为方锥。