[实用新型]一种基于交叉耦合结构的太赫兹探测器有效
| 申请号： | 201922238250.X | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN211626680U | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 吴淘锁;白红梅 | 申请（专利权）人： | 呼伦贝尔学院 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;H03H11/28 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 吴学颖 |
| 地址： | 021008 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 交叉 耦合 结构 赫兹 探测器 | ||
1.一种基于交叉耦合结构的太赫兹探测器，包括天线，其特征在于，所述天线分别经一号匹配网络、二号匹配网络连接至一号MOS场效应晶体管(M1)栅极、二号MOS场效应晶体管(M2)栅极，所述一号MOS场效应晶体管(M1)和二号MOS场效应晶体管(M2)的源极均接地，所述一号MOS场效应晶体管(M1)漏极和二号MOS场效应晶体管(M2)漏极分别经四号微带传输线(TL4)、八号微带传输线(TL8)连接至信号输出端口，所述一号MOS场效应晶体管(M1)漏极经一号电容(C1)连接二号MOS场效应晶体管(M2)栅极，所述二号MOS场效应晶体管(M2)漏极经二号电容(C2)连接一号MOS场效应晶体管(M1)栅极。
2.根据权利要求1所述的基于交叉耦合结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述天线采用差分贴片天线。
3.根据权利要求1所述的基于交叉耦合结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述四号微带传输线(TL4)和八号微带传输线(TL8)均采用相同的四分之一波长的传输线，其阻抗特性和长度均相同。
4.根据权利要求1所述的基于交叉耦合结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述一号匹配网络包括一号微带传输线(TL1)、二号微带传输线(TL2)、三号微带传输线(TL3)，所述一号微带传输线(TL1)一端连接天线，另一端经二号微带传输线(TL2)接地，所述三号微带传输线(TL3)一端连接一号MOS场效应晶体管(M1)栅极，另一端经二号微带传输线(TL2)接地。
5.根据权利要求1所述的基于交叉耦合结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述二号匹配网络包括五号微带传输线(TL5)、六号微带传输线(TL6)、七号微带传输线(TL7)，所述五号微带传输线(TL5)一端连接天线，另一端经六号微带传输线(TL6)接地，所述七号微带传输线(TL7)一端连接二号MOS场效应晶体管(M2)栅极，另一端经六号微带传输线(TL6)接地。
6.根据权利要求4所述的基于交叉耦合结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述一号微带传输线(TL1)与五号微带传输线(TL5)的阻抗特性和长度均相同，所述二号微带传输线(TL2)与六号微带传输线(TL6)的阻抗特性和长度均相同，所述三号微带传输线(TL3)与七号微带传输线(TL7)的阻抗特性和长度均相同。
7.根据权利要求4或5所述的基于交叉耦合结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述一号MOS场效应晶体管(M1)和二号MOS场效应晶体管(M2)相同，尺寸大小相等。
8.根据权利要求4或5所述的基于交叉耦合结构的太赫兹探测器，其特征在于，所述一号电容(C1)和二号电容(C2)相同，容值大小相等。
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