[实用新型]半导体结构和LED外延片

说明书

本申请是关于一种半导体结构和LED外延片。半导体结构包括：基板；多个分布式布拉格反射镜DBR，所述多个DBR形成于所述基板的一侧表面，且至少一个所述DBR的侧面呈弧形状设置。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构和LED外延片。

背景技术

以氮化镓、氮化铝和氮化铟及其三元和四元合金材料为主的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料，以其优异的物理、化学稳定性以及高电子迁移率等特性，逐渐成为二极管器件领域内的优选材料。而LED器件中衬底的结构与特性对生长在该衬底上的其他结构层具有重大影响。

实用新型内容

本申请提供一种半导体结构和LED外延片，以解决相关技术中的不足。

根据本申请实施例的第一方面，提供一种半导体结构，包括：

基板；

多个分布式布拉格反射镜DBR，所述多个DBR形成于所述基板的一侧表面，且至少一个所述DBR的侧面呈弧形状设置。

可选的，所述DBR为类圆锥形、类圆台形、类多边锥形或者类多边台形。

可选的，每一DBR由氮化硅、氧化硅和氧化钛中的任意两种材料组成。

可选的，每一DBR包括多个氮化硅层和多个氧化硅层，所述多个氮化硅层和所述多个氧化硅层交替设置。

可选的，所述DBR包括7-15个交替周期，每一交替周期包括层叠设置的单层氮化硅层和单层氧化硅层。

可选的，所述DBR包括10个交替周期。

可选的，每一DBR的高度位于1.5um-2um之间。

可选的，还包括缓冲层，所述缓冲层覆盖所述多个DBR上远离所述基板的一侧，并与所述多个DBR以及部分所述基板接触。

可选的，所述基板包括下述之一：

蓝宝石基板、硅基板、碳化硅基板。

根据本申请实施例的第二方面，提供一种LED外延片，包括如上述中任一项实施例所述的半导体结构。

可选的，所述LED外延片还包括外延层，所述外延层形成于所述半导体结构上。本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

由上述实施例可知，本申请中的多个DBR结构中有至少一个DBR侧面呈弧状设置，因而加大了光线与发射面的接触面积，可以提高该呈侧面设置的DBR 的反射率，从而能够反射更多的朝半导体结构出射的光线，可以提高配置有该半导体结构的LED组件的出光效率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。

图1是根据一示例性实施例示出的一种半导体结构的结构示意图。

图2是根据一示例性实施例示出的另一种半导体结构的结构示意图。

图3是图2的局部放大示意图。

图4是根据一示例性实施例示出的还一种半导体结构的结构示意图。

图5是根据一示例性实施例示出的一种LED外延片结构示意图。

具体实施方式