[实用新型]一种充电双重保护电路

权利要求书

1.一种充电双重保护电路，包括控制芯片组、充放电控制开关、电池参数采集电路以及充电二级保护电路，其特征在于：所述控制芯片组分别连接至充放电控制开关、电池组、电池参数采集电路以及二级保护电路。

2.根据权利要求1所述的充电双重保护电路，其特征在于，所述充放电控制电路包括串联连接在充电电源与电池组正极之间的充电开关Q1和Q2,所述Q1和Q2均为P型场效应晶体管，其中，Q1的漏极与Q2的源极串联，Q1的源极接入充电电源，Q2的漏极接入电池组正极，并在所述Q1和Q2的源极和漏极上并联稳压二极管，稳压二极管的阴极均接入Q1和Q2的源极，阳极接入Q1和Q2的漏极，所述Q2的漏极接入电池组的负极B-。

3.根据权利要求1所述的充电双重保护电路，其特征在于，所述电池参数采集电路并联于所述电池组上，采用MAX1906芯片，用于采集电池的充放电电流以及电池电压。

4.根据权利要求1所述的充电双重保护电路，其特征在于，所述控制芯片组包括可充电电池保护控制芯片BM3451，用于检测各节电池的电压、充电电流以及环境温度信息实现电池过充过放短路的功能，其电压输入端VC1-VC5分别接入电池组各节电池的正极端，检测当前电池的电压以及充电电流状况，所述可充电电池保护控制芯片BM3451的输出管脚CO通过三极管接入Q1的栅极。

5.根据权利要求1所述的充电双重保护电路，其特征在于，所述二级保护电路包括二级充电保护芯片BM3051A，其中，所述二级充电保护芯片BM3051A的VC1-VC5管脚分别连接至可充电电池保护控制芯片BM3451的VC1-VC5管脚，二级重点保护芯片BM3051A的VCC管脚接入可充电电池保护控制芯片BM3451的级联控制输入管脚DOIN和COIN。

6.根据权利要求1所述的充电双重保护电路，其特征在于，所述充电二级保护电路还包括一级充电保护场效应晶体管Q7和二级充电保护场效应晶体管Q6，其中所述一级充电保护场效应晶体管Q7为P型MOSFET，所述二级充电保护场效应晶体管 Q6为N型MOSFET。

7.根据权利要求6所述的充电双重保护电路，其特征在于，所述二级充电保护场效应晶体管Q7的栅极接入所述二级充电保护芯片BM3051A的高电平输出管脚CO，源极接入电池组负极B-，漏极通过电阻与一级重点保护场效应晶体管Q7的栅极连接。

8.根据权利要求1所述的充电双重保护电路，其特征在于，所述电池组的每一节锂电池的正极与可充电电池保护控制芯片BM3451芯片的VC1-VC5管脚之间分别接入阻容并联电路，同时在所述可充电电池保护控制芯片BM3451的系统电压管脚VCC与电池组正极B+之间反向接入二极管。