[实用新型]一种基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路有效

专利信息
申请号: 201922246422.8 申请日: 2019-12-16
公开(公告)号: CN211089594U 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 白春风;赵文翔;汤雁婷;乔东海 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H03F1/42 分类号: H03F1/42;H03F3/45
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人: 陆金星
地址: 215000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 自适应 偏置 cmos 单元 电路
【权利要求书】:

1.一种基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路,其特征在于,包括跨导单元主体电路和自适应偏置电流源;

所述跨导单元主体电路包括PMOS管M1a、PMOS管M2a、PMOS管M3a、PMOS管M1b、PMOS管M2b、PMOS管M3b、电阻2R1、电流源I1a和电流源I1b;所述自适应偏置电流源包括PMOS管M4a、与PMOS管M4a匹配的PMOS管M5a、PMOS管M6a、PMOS管M7a、PMOS管M4b、与PMOS管M4b匹配的PMOS管M5b、PMOS管M6b、PMOS管M7b、电流源I2a、电流源I3a、电流源I2b和电流源I3b,其中PMOS管M1a与PMOS管M1b镜像对称,PMOS管M2a与PMOS管M2b镜像对称,PMOS管M3a与PMOS管M3b镜像对称,PMOS管M4a与PMOS管M4b镜像对称,PMOS管M5a与PMOS管M5b镜像对称、PMOS管M6a与PMOS管M6b镜像对称、PMOS管M7a与PMOS管M7b镜像对称;

所述PMOS管M4a的源极、PMOS管M5a的源极、PMOS管M4b的源极、PMOS管M5b的源极、电流源I3a的输入端和电流源I3b的输入端均接电源VDD;PMOS管M2a的源极、PMOS管M3a的源极、PMOS管M2b的源极、PMOS管M3b的源极、电流源I1a的输出端、电流源I2a的输出端、电流源I1b的输出端和电流源I2b的输出端均接地;

所述PMOS管M4a的栅极和PMOS管M5a的栅极相连并连接PMOS管M7a的漏极和电流源I3a的输出端;PMOS管M5a的漏极连接PMOS管M6a的源极,PMOS管M6a的栅极接PMOS管M1a的栅极和输入电压Vin+,PMOS管M6a的漏极接PMOS管M7a的源极和电流源I2a的输入端;PMOS管M1a的源极接PMOS管M2a的漏极和PMOS管M4a的漏极,PMOS管M1a的漏极接电流源I1a的输入端、PMOS管M2a的栅极和PMOS管M3a的栅极,PMOS管M3a的漏极为电流输出端Iout+;

所述PMOS管M4b的栅极和PMOS管M5b的栅极相连并连接PMOS管M7b的漏极和电流源I3b的输出端;PMOS管M5b的漏极连接PMOS管M6b的源极,PMOS管M6b的栅极接PMOS管M1b的栅极和输入电压Vin-,PMOS管M6b的漏极接PMOS管M7b的源极和电流源I2b的输入端;PMOS管M1b的源极接PMOS管M2b的漏极和PMOS管M4b的漏极,PMOS管M1b的漏极接电流源I1b的输入端、PMOS管M2b的栅极和PMOS管M3b的栅极,PMOS管M3b的漏极为电流输出端Iout-;

所述PMOS管M1a与PMOS管M4a的连接路径和PMOS管M1b与PMOS管M4b的连接路径之间设有电阻2R1,同时PMOS管M7a的栅极和PMOS管M7b的栅极接偏置电压Vbias1。

2.根据权利要求1所述的基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路,其特征在于,所述PMOS管M1a与PMOS管M6a的尺寸比例等于电流源I1a的偏置电流与电流源I2a和电流源I3a的偏置电流之差的比值。

3.根据权利要求1所述的基于自适应偏置的CMOS跨导单元电路,其特征在于,所述PMOS管M1b与PMOS管M6b的尺寸比例等于电流源I1b的偏置电流与电流源I2b和电流源I3b的偏置电流之差的比值。

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