[实用新型]一种六面包覆型芯片尺寸的封装结构

权利要求书

1.一种包覆型芯片尺寸的封装结构，其包括硅基本体（111）和芯片电极（113），且芯片电极（113）嵌入硅基本体（111）表面，露出芯片电极正面，在所述硅基本体（111）表面设置钝化层（210），且在芯片电极处设置有钝化层开口（213），所述钝化层开口（213）尺寸小于芯片电极（113）尺寸，且露出芯片电极（113）的正面，

其特征在于，所述钝化层上覆盖介电层Ⅰ（310），且与钝化层开口（213）处设置介电层Ⅰ开口（311），所述介电层Ⅰ开口（311）的尺寸小于钝化层开口（213）的尺寸，所述介电层Ⅰ（310）的覆盖面积小于钝化层（210）的面积并露出钝化层（210）的边缘，在所述介电层Ⅰ（310）上覆盖金属种子层Ⅰ（410），再在所述金属种子层Ⅰ（410）上覆盖再布线金属层（510）；

在所述再布线金属层（510）上覆盖介电层Ⅱ（320），且在所需位置处相应设置介电层Ⅱ开口（321），所述介电层Ⅱ（320）的侧面与介电层Ⅰ（310）的侧面齐平，在所述介电层Ⅱ开口（321）处依次设置金属种子层Ⅱ（420）和金属凸块（520），所述金属凸块（520）上设置焊球（600）；

还包括包覆层Ⅰ（123）和包覆层Ⅱ（132），所述包覆层Ⅰ（123）设置于硅基本体（111）的四周和背面，其上表面向上延展与介电层Ⅱ（320）的上表面齐平，所述包覆层Ⅱ（132）覆盖介电层Ⅱ（320）和包覆层Ⅰ（123）的上表面，其上表面与金属凸块（520）的上表面齐平。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述包覆层Ⅰ（123）与包覆层Ⅱ（132）是一体结构，将硅基本体（111）的六个面包覆其中。

3.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，还包括硅基加强层（810），所述硅基加强层（810）设置在包覆层Ⅰ（123）的背面。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属种子层Ⅰ（410）包括下层的黏附、阻挡层和上层的铜金属种子层。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述金属种子层Ⅱ（420）包括下层的黏附、阻挡层和上层的铜金属种子层。