[实用新型]一种二维光波导、虚实光波合束器以及AR设备有效
申请号: | 201922252038.9 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN210776046U | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 魏一振;陈达如;张卓鹏 | 申请(专利权)人: | 杭州光粒科技有限公司 |
主分类号: | G02B27/01 | 分类号: | G02B27/01;G02B27/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王云晓 |
地址: | 310053 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二维 波导 虚实 光波 合束器 以及 ar 设备 | ||
1.一种二维光波导,其特征在于,包括基底、耦入光栅和耦出光栅;
所述基底表面划分有耦入区、折光扩瞳区和耦出区;所述折光扩瞳区内设置有缺陷轨道和至少两条缺陷带,所述缺陷轨道从所述耦入区向远离所述耦入区一侧延伸,所述缺陷带的一端与所述缺陷轨道接触,所述缺陷带的另一端延伸至所述耦出区,至少两条所述缺陷带沿所述缺陷轨道轴线分布;
所述折光扩瞳区中相邻所述缺陷带之间、所述缺陷带与所述缺陷轨道之间、所述缺陷带与所述折光扩瞳区边缘之间、以及所述缺陷轨道与所述折光扩瞳区边缘之间为光子晶体区,所述光子晶体区设置有多个散射柱以形成光子晶体,所述散射柱的轴线垂直于所述折光扩瞳区表面;
所述耦入光栅位于所述耦入区表面,所述耦出光栅位于所述耦出区表面。
2.根据权利要求1所述的二维光波导,其特征在于,所述缺陷轨道的宽度沿从所述耦入区向远离所述耦入区一侧方向的宽度逐渐变小。
3.根据权利要求2所述的二维光波导,其特征在于,所述耦入区位于所述基底表面一侧边缘部,所述缺陷轨道从所述基底表面一侧边缘部延伸至所述基底表面另一侧边缘部,所述耦出区包括相对于所述缺陷轨道轴线相对设置的第一耦出区和第二耦出区,所述缺陷带包括第一缺陷带和第二缺陷带,所述第一缺陷带从所述缺陷轨道延伸至所述第一耦出区,所述第二缺陷带从所述缺陷轨道延伸至所述第二耦出区。
4.根据权利要求3所述的二维光波导,其特征在于,所述缺陷带为以下任意一项或任意组合;
与所述缺陷轨道轴线垂直的直线型缺陷带、与所述缺陷轨道轴线非垂直的斜线型缺陷带、折线型缺陷带。
5.根据权利要求2所述的二维光波导,其特征在于,所述耦入区位于所述基底表面一侧边缘部,所述耦出区位于所述基底表面另一侧,所述缺陷轨道从所述耦入区延伸至所述耦出区;所述缺陷带包括位于缺陷轨道一侧的第一缺陷带以及位于缺陷轨道另一侧的第二缺陷带,所述缺陷带为折线型缺陷带。
6.根据权利要求2所述的二维光波导,其特征在于,所述耦入区位于所述基底表面一侧角边缘部,所述耦出区位于所述缺陷轨道一侧。
7.根据权利要求6所述的二维光波导,其特征在于,所述缺陷带为以下任意一项或任意组合;
与所述缺陷轨道轴线垂直的直线型缺陷带、与所述缺陷轨道轴线非垂直的斜线型缺陷带、折线型缺陷带。
8.根据权利要求2所述的二维光波导,其特征在于,所述耦入区位于所述基底表面一侧角边缘部,所述耦出区位于所述基底表面另一侧,所述缺陷轨道从所述耦入区延伸至所述耦出区;所述缺陷带为折线型缺陷带。
9.根据权利要求1所述的二维光波导,其特征在于,所述缺陷轨道长度的取值范围为5mm至50mm,包括端点值。
10.根据权利要求1所述的二维光波导,其特征在于,所述缺陷带宽度的取值范围为0.1mm至5mm,包括端点值。
11.根据权利要求1至10任一项权利要求所述的二维光波导,其特征在于,所述耦出区与所述折光扩瞳区重合。
12.一种虚实光波合束器,其特征在于,包括如权利要求1至11任一项权利要求所述的二维光波导。
13.一种AR设备,其特征在于,包括如权利要求1至11任一项权利要求所述的二维光波导。
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