[实用新型]一种基于单片机控制的1x2矩阵型选择器输出电路有效
申请号: | 201922254004.3 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN211180589U | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 李耀聪;潘叶江 | 申请(专利权)人: | 华帝股份有限公司 |
主分类号: | G05B19/042 | 分类号: | G05B19/042 |
代理公司: | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人: | 廉红果 |
地址: | 528400 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 单片机 控制 x2 矩阵 选择器 输出 电路 | ||
1.一种基于单片机控制的1x2矩阵型选择器输出电路,其特征在于,其包括三个互补型三极管单元:第一三极管单元QB1、第二三极管单元QB2、第三三极管单元QB3,所述第一三极管单元QB1、所述第二三极管单元QB2、和所述第三三极管单元QB3共同连接,用于实现单控制双输出的温度或模式选择。
2.根据权利要求1所述的一种基于单片机控制的1x2矩阵型选择器输出电路,其特征在于,所述温度或模式选择分别为温度选择电阻检测输出或模式选择电阻检测输出。
3.根据权利要求2所述的一种基于单片机控制的1x2矩阵型选择器输出电路,其特征在于,所述第一三极管单元QB1、所述第二三极管单元QB2、和所述第三三极管单元QB3共同连接为:输入端RD_BIN_NTC信号连接所述第一三极管单元QB1的基极和第三三极管单元QB3的基极,所述第一三极管单元QB1的发射极连接所述第二三极管单元QB2的发射极和所述第三三极管单元QB3的发射极并接电源VDD-UC,所述第一三极管单元QB1的集电极串联电阻R_RD_NTC、并联电容C8后输出信号RD_NTC;
所述第三三极管单元QB3的集电极连接所述第二三极管单元QB2的基极,同时串联电阻R7后接地;所述第二三极管单元QB2的集电极串联电阻R_RD_BIN、并联电阻C7后输出信号RD_BIN。
4.根据权利要求3所述的一种基于单片机控制的1x2矩阵型选择器输出电路,其特征在于,所述第一三极管单元QB1的电路结构与所述第二三极管单元QB2的电路结构、所述第三三极管单元QB3的电路结构均相同,所述第一三极管单元QB1的电路结构包括三极管QB、电阻RA和电阻RB,所述三极管QB的发射极串联所述电阻RB后连接所述三极管QB的基极,所述三极管QB的基极串联所述电阻RA。
5.根据权利要求3所述的一种基于单片机控制的1x2矩阵型选择器输出电路,其特征在于,所述电阻R_RD_NTC为温度选择的回路限流电阻。
6.根据权利要求3所述的一种基于单片机控制的1x2矩阵型选择器输出电路,其特征在于,所述电阻R_RD_NTC为模式选择的回路限流电阻。
7.根据权利要求3所述的一种基于单片机控制的1x2矩阵型选择器输出电路,其特征在于,所述电阻R7为偏置电阻。
8.根据权利要求3所述的一种基于单片机控制的1x2矩阵型选择器输出电路,其特征在于,所述输入端RD_BIN_NTC信号为单片机输出的单IO控制信号。
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