[实用新型]一种光电器件晶圆级封装结构

权利要求书

1.一种光电器件晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

玻璃盖板（101），所述玻璃盖板（101）上制作有围堰（104），所述围堰（104）通过粘结胶（107）与芯片晶圆（105）正面的功能层（106）键合；

所述芯片晶圆（105）背面的硅基开有凹槽（109），所述凹槽（109）中制作有铜柱（110）并通过第二塑封料（111）塑封，所述第二塑封料（111）表面依次形成有n层再布线（112）、阻焊层（113）和凸点（114）。

2.如权利要求1所述的光电器件晶圆级封装结构，其特征在于，通过如下方法在所述玻璃盖板（101）上制作围堰（104）：

提供玻璃盖板（101），在其表面制作掩模图案（102）；

用第一塑封料（103）塑封掩模图案（102），并研磨至目标厚度；

去掉掩模图案（102）形成围堰（104）。

3.如权利要求2所述的光电器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述掩模图案（102）的厚度大于所述围堰（104），所述掩模图案（102）的材料为高分子材料或金属材料；

所述高分子材料包括树脂和聚酰亚胺；

所述金属材料包括铜和铝。

4.如权利要求2所述的光电器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一塑封料（103）和所述第二塑封料（111）为同种塑封料，是黑色树脂材料，其光吸收率大于90%。

5.如权利要求1所述的光电器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述凹槽（109）为V型槽，槽深大于5μm，槽下开口大于5μm，槽角度大于90°。

6.如权利要求1所述的光电器件晶圆级封装结构，其特征在于，通过铜柱凸点制备工艺在所述凹槽（109）中生长铜柱（110），所述铜柱（110）的直径大于1μm，其高度超过所述芯片晶圆（105）的背面硅基1μm以上。

7.如权利要求1所述的光电器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述粘结胶（107）的一面与所述功能层（106）相连，另一面与所述围堰（104）相连；所述粘结胶（107）为黑色，其光吸收率大于90%。