[实用新型]一种探测基板及平板探测器

说明书

本实用新型公开了一种探测基板及平板探测器，包括：衬底基板，依次位于衬底基板上的多个晶体管、氧化物层、多个读取电极和多个光电转换结构；各晶体管的第一电极通过各读取电极与各光电转换结构一一对应电连接，有源层的材质包括氧化物；光电转换结构包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层；氧化物层至少覆盖晶体管的沟道区且与读取电极相互绝缘。通过在各晶体管所在层与各读取电极所在层之间设置覆盖晶体管沟道区的氧化物层，使得后续沉积光电转换结构的过程中产生的氢原子与氧化物层反应，避免了氢原子到达沟道区，有效改善了晶体管的稳定性，提高了平板探测器的性能。

技术领域

本实用新型涉及光电检测技术领域，尤其涉及一种探测基板及平板探测器。

背景技术

X射线检测技术广泛应用于工业无损检测、集装箱扫描、电路板检查、医疗、安防、工业等领域，具有广阔的应用前景。传统的X-Ray成像技术属于模拟信号成像，分辨率不高，图像质量较差。20世纪90年代末出现的X射线数字化成像技术(Digital Radio Graphy，DR)采用X射线平板探测器直接将X影像转换为数字图像，因其转换的数字图像清晰，分辨率高，且易于保存和传送，已成为目前研究的热点。根据结构的不同，X射线平板探测器分为直接转换型(Direct DR)与间接转换型(Indirect DR)。其中，由于间接转换型X射线平板探测器技术较为成熟，成本相对低，探测量子效率(Detective Quantum Efficiency，DQE)高，信赖性好等优势得到了广泛的开发与应用。

X射线平板探测器主要包括晶体管(Thin Film Transistor，TFT)与光电二极管(PIN)。在X射线照射下，间接转换型X射线平板探测器的闪烁体层或荧光体层将X射线光子转换为可见光，然后在PIN的作用下将可见光转换为电信号，最终通过TFT读取电信号并将电信号输出得到显示图像。

相关技术中，平板探测器包含的TFT可以为非晶硅(a-Si)TFT，然而a-Si TFT具有迁移率低、固有尺寸大等缺点，导致此类平板探测器的帧率低，像素填充率低。以非晶态铟镓锌氧化物(a-IGZO)TFT为代表的氧化物TFT具有迁移率高、透明度高、尺寸小、制备温度低和成本低等优越性能，使得包含a-IGZO TFT的平板探测器的帧率和像素填充率均较高。在制作包含a-IGZO TFT的平板探测器的过程中，一般需要在a-IGZO TFT上沉积PIN膜层。然而，在PIN膜层的沉积过程中氢原子(H Plasma)向a-IGZO TFT的沟道区扩散，致使a-IGZOTFT的稳定性较差，进而影响了平板探测器的性能。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种探测基板及平板探测器，用以改善晶体管的稳定性，进而提高平板探测器的性能。

因此，本实用新型实施例提供的一种探测基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的多个晶体管，位于各所述晶体管的远离所述衬底基板的一侧的多个读取电极，位于各所述读取电极的远离所述晶体管的一侧的多个光电转换结构，以及位于各所述晶体管所在层与各所述读取电极所在层之间的氧化物层；其中，

各所述晶体管的第一电极通过各所述读取电极与各所述光电转换结构一一对应电连接；各所述晶体管的有源层的材质包括氧化物；

所述光电转换结构，包括：N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层；

所述氧化物层至少覆盖所述晶体管的沟道区，且与所述读取电极相互绝缘。

在一种可能的实现方式中，在本实用新型实施例提供的上述探测基板中，还包括：位于各所述晶体管所在层与各所述读取电极所在层之间的绝缘层；

各所述晶体管的第一电极通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述读取电极电连接；

所述氧化物层在所述第一过孔所在区域处具有镂空结构。