[实用新型]键合线及半导体功率器件有效

专利信息
申请号: 201922264873.4 申请日: 2019-12-17
公开(公告)号: CN210984720U 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 陈紫默;刘斌;周晓阳 申请(专利权)人: 广东芯聚能半导体有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L23/31
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 张彬彬
地址: 511458 广东省广州市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 键合线 半导体 功率 器件
【权利要求书】:

1.一种键合线,其特征在于,包括:内导线及外包层;

所述内导线用于为半导体功率器件中的芯片电连接基板;

所述外包层为熔点低于所述内导线熔点的导电层,包裹设置于所述内导线的外部,用于与所述半导体功率器件中的芯片或基板焊接。

2.根据权利要求1所述的键合线,其特征在于,所述内导线为导电性高于所述外包层的金属导线。

3.根据权利要求1所述的键合线,其特征在于,所述键合线的横截面形状为圆角矩形。

4.根据权利要求3所述的键合线,其特征在于,所述内导线的横截面形状为圆角矩形。

5.根据权利要求1或2所述的键合线,其特征在于,所述外包层外部设置有抗氧化涂层或抗氧化电镀层。

6.根据权利要求1所述的键合线,其特征在于,所述内导线为铜导线。

7.根据权利要求6所述的键合线,其特征在于,所述外包层为铝包层。

8.根据权利要求6所述的键合线,其特征在于,所述外包层为镁合金包层。

9.一种半导体功率器件,包括芯片和基板,其特征在于,所述芯片和基板通过如权利要求1至8任一项所述的键合线电连接。

10.根据权利要求9所述的半导体功率器件,其特征在于,所述半导体功率器件为IGBT模块,所述芯片包括IGBT芯片及二极管芯片;

所述基板包括第一基板及第二基板;

所述键合线包括第一键合线及第二键合线;

所述IGBT芯片的集电极通过电子焊料与所述第一基板的导电层连接,发射极通过所述第一键合线与所述第二基板的导电层电连接;

所述二极管芯片的阴极通过电子焊料与所述第一基板的导电层连接,阳极通过所述第二键合线与所述第二基板的导电层电连接。

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