[实用新型]键合线及半导体功率器件有效
申请号: | 201922264873.4 | 申请日: | 2019-12-17 |
公开(公告)号: | CN210984720U | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 陈紫默;刘斌;周晓阳 | 申请(专利权)人: | 广东芯聚能半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L23/31 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 张彬彬 |
地址: | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 键合线 半导体 功率 器件 | ||
1.一种键合线,其特征在于,包括:内导线及外包层;
所述内导线用于为半导体功率器件中的芯片电连接基板;
所述外包层为熔点低于所述内导线熔点的导电层,包裹设置于所述内导线的外部,用于与所述半导体功率器件中的芯片或基板焊接。
2.根据权利要求1所述的键合线,其特征在于,所述内导线为导电性高于所述外包层的金属导线。
3.根据权利要求1所述的键合线,其特征在于,所述键合线的横截面形状为圆角矩形。
4.根据权利要求3所述的键合线,其特征在于,所述内导线的横截面形状为圆角矩形。
5.根据权利要求1或2所述的键合线,其特征在于,所述外包层外部设置有抗氧化涂层或抗氧化电镀层。
6.根据权利要求1所述的键合线,其特征在于,所述内导线为铜导线。
7.根据权利要求6所述的键合线,其特征在于,所述外包层为铝包层。
8.根据权利要求6所述的键合线,其特征在于,所述外包层为镁合金包层。
9.一种半导体功率器件,包括芯片和基板,其特征在于,所述芯片和基板通过如权利要求1至8任一项所述的键合线电连接。
10.根据权利要求9所述的半导体功率器件,其特征在于,所述半导体功率器件为IGBT模块,所述芯片包括IGBT芯片及二极管芯片;
所述基板包括第一基板及第二基板;
所述键合线包括第一键合线及第二键合线;
所述IGBT芯片的集电极通过电子焊料与所述第一基板的导电层连接,发射极通过所述第一键合线与所述第二基板的导电层电连接;
所述二极管芯片的阴极通过电子焊料与所述第一基板的导电层连接,阳极通过所述第二键合线与所述第二基板的导电层电连接。
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