[实用新型]一种高精度RF MEMS数字可变电容有效
| 申请号： | 201922266264.2 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN211208253U | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王竞轩;刘泽文;肖倩;陈涛 | 申请（专利权）人： | 苏州希美微纳系统有限公司 |
| 主分类号： | H01G7/00 | 分类号： | H01G7/00;H01G5/38 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 刘洪勋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 rf mems 数字 可变电容 | ||
1.一种高精度RF MEMS数字可变电容，包括有衬底，其特征在于：所述衬底上分布有若干组基于翘板式结构的RF MEMS数字可变电容单元，各个RF MEMS数字可变电容单元分组后，围绕RF Pad分布，每组RF MEMS数字可变电容单元的RF电极与RF Pad接连，每组RF MEMS数字可变电容单元的最大容值均不相同，每组RF MEMS数字可变电容单元有两种电容状态，通过5位二进制数字驱动信号进行控制，所述RF Pad两侧均分布有GND Pad。
2.根据权利要求1所述的一种高精度RF MEMS数字可变电容，其特征在于：所述衬底为高阻硅衬底；或是为玻璃衬底；或是为陶瓷衬底；或是为砷化镓衬底。
3.根据权利要求1所述的一种高精度RF MEMS数字可变电容，其特征在于：所述RF MEMS数字可变电容单元至少构成五组分组，即分别构成组一、组二、组三、组四、组五，每组可变电容单元至少采用1个RF MEMS数字可变电容单元组成。
4.根据权利要求1所述的一种高精度RF MEMS数字可变电容，其特征在于：所述RF MEMS数字可变电容单元，采用基本翘板式结构单元级联拓展构成，其翘板式上极板与RF电极形成第一距离、第二距离和第三距离，对应三个电容状态；或是，与RF电极形成第一距离和第三距离，对应两个电容状态。
5.根据权利要求3所述的一种高精度RF MEMS数字可变电容，其特征在于：每组可变电容单元的最大电容值应以二倍的关系或是四倍的关系递增，这取决于，每组可变电容单元的状态数是二或是三。
6.根据权利要求1所述的一种高精度RF MEMS数字可变电容，其特征在于：所述各个RFMEMS数字可变电容单元分组后，围绕RF Pad以十字形分布。
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