[实用新型]一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器

说明书

本实用新型提供一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器，包括发热体、若干个加热器腿部，所述发热体为多段式曲线结构；所述若干个加热器腿部用于支撑所述发热体。本实用新型涉及的降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器采用高度一致的发热体，可减少整体主加热器的发热高度，提高主加热器的有效发热面积比，降低氧含量；并使石英坩埚下部与熔硅反应降低，减少氧的产生，从而降低氧含量；发热体的圆弧结构使得该主加热器上表面氧化物易聚集程度减少，改善了炉内环境，从而提高单晶成晶率；且结构简单，维修方便，加工成本低。

技术领域

本实用新型属于半导体技术、设备领域，尤其是涉及一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器。

背景技术

氧是CZ硅单晶中含量最高，行为最复杂的一种杂质，晶体中的氧既有益又有害，因此，在拉制硅单晶过程中需要对氧含量进行控制。直拉硅单晶中氧的主要来源是石英坩埚对硅单晶的氧沾污。在1420℃以上高温下，硅熔体和石英坩埚进行化学反应造成熔硅中氧含量增加，这是硅中氧的主要来源。成晶率是衡量单晶生产水平的重要指标，成晶率越高，说明单晶的断苞比例越少，生产能力越优秀。

目前使用的主加热器包括发热体短支、发热体长支和加热器脚，一方面，因稳温过程液面长时间处于同一位置且高温运转，使得石英坩埚被熔硅腐蚀产生液位线，而液位线处的原有涂层被破坏，导致此处熔硅与坩埚反应剧烈，生成氧含量较多从而导致氧高。另一反面，因稳温过程高温时间较长，且加热器发热体长支的长度比较长，导致石英坩埚与熔硅反应面积较大，产生了较多的氧。同样地，等径过程石英坩埚下部与熔硅反应剧烈，产生更多的氧，而随着熔体对流进入单晶中的氧也更多。而且，目前的主加热器的发热体均为直角结构，加热器上表面氧化物易聚集，造成炉内环境差，影响单晶成晶率。

发明内容

针对现有的主加热器存在的不足，本实用新型旨在提供一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器，包括：

发热体，所述发热体为多段式曲线结构；

若干个加热器腿部，所述若干个加热器腿部用于支撑所述发热体。

进一步地，所述多段式曲线结构的折弯处均为圆弧结构，所述曲线的各段高度保持一致。

更进一步地，所述发热体与所述若干个加热器腿部一体成型。

更进一步地，所述发热体可拆卸式连接于所述若干个加热器腿部上。

由于采用上述技术方案，本实用新型涉及的降低直拉单晶硅氧含量提高成晶率的主加热器采用高度一致的发热体，可减少整体主加热器的发热高度，提高主加热器的有效发热面积比，降低氧含量；并使石英坩埚下部与熔硅反应降低，减少氧的产生，从而降低氧含量；发热体的圆弧结构使得该主加热器上表面氧化物易聚集程度减少，改善了炉内环境，从而提高单晶成晶率；且结构简单，维修方便，加工成本低。

附图说明

图1是本实用新型的一种实施例的结构示意图

图2是本实用新型的一种实施例的加热示意图

图中：

1、发热体 2、加热器腿部 3、发热区域

4、石英坩埚

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步说明：