[实用新型]一种用于清洗PCB板的光刻胶去除装置

说明书

本实用新型所涉及一种用于清洗PCB板的光刻胶去除装置，包括射频电源模块，等离子发生器，因等离子发生器上设置有进气系统；等离子发生器包括原板地电极，硅晶片，光刻胶板，射频电极，等离子气体流；进气系统包括输气管，氧气装置，氩气装置，所述输气管与等离子发生器相互连接。在此结构中，等离子发生器将进气系统被引入气体置于射频电极与原板地电极之间击穿电离后形成冷等离子气体，同时使得活性气体激发审查活性物质，并均匀向下喷出在带有个光刻胶的电路板表面，形成150毫米放电区，使得冷等离子气体中氧气和氩气的产生电离能，与光刻胶发生反应，生成二氧化碳和水，排放外界。从而达到操作方便，温度低，无刮伤无污染，成本低的功能。

【技术领域】

本实用新型涉及一种用于PCB板清洗技术领域的用于清洗PCB板的光刻胶去除装置。

【背景技术】

光刻胶去除技术在微电子工业中占有非常重要的地位,约占PCB电路板中的集成电路制造工艺的30％至35％。去除光刻胶时不应该损伤和污染电路板表面的硅、多晶硅、铝、氧化硅或二氧化硅等物质,如果去光刻胶过程不能被很好的控制或者操作不正确,很有可能会对焊接电路板上面的电子元器件造成污染和损伤,从而影响产品的成品率。传统化学湿法去胶技术,主要包括丙酮有机溶剂浸泡溶解，使用三号液加热实现SPM清洗，使用专用的光刻胶刻蚀胶液，以及使用其它的一些有机溶剂清洗等。此中化学湿法去胶技术虽然能够实现电路板表面的光刻机的目的，但是不能精确控制,清洗不彻底,需反复清洗,待处理后容易引入新的污染物质。随着新材料的使用和微器件特征尺寸的进一步减小,污染和损伤成为制约集成电路产量的主要因素。随后出现一种等离子气体去胶技术是利用氧在等离子体中产生的活性氧与光刻胶发生反应生成二氧化碳和水,以达到去除光刻胶的目的。目前普遍采用的等离子体去胶技术工艺都是在真空室里进行的。在反应系统中通入少量的氧气,在强电场作用下,使低压氧气产生等离子体,其中活化气或称活泼的原子态气占有适当比例,可以迅速地使光刻胶氧化成可挥发性气体状态被机械泵抽走,从而把硅片上的光刻胶膜去除掉。此种方法具有操作方便,去胶效率高,表面干净,无划伤,硅片温度低等优点,但是离子轰击可能会对一些器件表面造成损害,设备及维护费用很高。

【实用新型发明内容】

有鉴于此，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有操作方便，温度低，无刮伤无污染，成本低的用于清洗PCB板的光刻胶去除装置。

为此解决上述技术问题，本实用新型中的技术方案所提供一种用于清洗PCB板的光刻胶去除装置，其包括射频电源模块，连接在射频电源模块两端的等离子发生器，所述等离子发生器上设置有进气系统；所述等离子发生器包括原板地电极，置于原板地电极上面的硅晶片，置于硅晶片上面的光刻胶板，与原板地电极平行设置的位于上方的射频电极，形成于射频电极与原板地电极之间的等离子气体流；所述进气系统包括输气管，与输气管一端连接的氧气装置，氩气装置，所述输气管另一端与等离子发生器相互连接。

进一步限定，所述射频电源模块的频率为13.56MHZ，工作范围为 0-600W；所述射频电源模块包括引线电容Cf、并联连接在引线电容Cf两端电感线圈电阻R1、电感L1，电感线圈电阻R1与电感L1串联连接在一起；所述的电感L2，电感线圈电阻R2，损耗电阻Rc连接在引线电容Cf和电感 L1共有一端的，所述的等离子电阻Rd，电容Cs，等离子电容Cd分别并联在引线电容Cf两端。

进一步限定，等离子发生器是由不锈钢制成的射频电极和与它同轴的原板地电极构成,被引入气体在射频电极与原板地电极之间击穿电离后形成冷等离子体,同时使活性气体激发生成活性物质如原子并均匀向下喷出, 形成直径为150毫米的放电区间。

进一步限定，等离子发生器是由航空铝制成的的射频电极，以及与射频电极平行设置的原板地电极构成,被引入气体在电极之间击穿电离后形成直径为高为一的圆柱形放电区间,同时使活性气体在此区间内被激发生成活性物质。

进一步限定，所述射频电极与原板地电极之间距离分别为2毫米，3毫米， 4毫米，5毫米。