[实用新型]NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件

权利要求书

1.NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件，其特征在于，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的N型单晶硅层以及上层的金属硅化物层，所述基区包括P型GaN层，所述发射区包括N型AlGaN层以及位于其上的N型GaN帽层；所述N型单晶硅层上设有集电极，所述基区设有基极，所述GaN帽层上设有发射极；所述金属硅化物层中的金属硅化物是TiSi₂、CoSi₂、MoSi₂中的其中一种。

2.根据权利要求1所述的NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件，其特征在于：

所述P型GaN层与所述金属硅化物层之间设有第一本征GaN阻挡层，所述P型GaN层与所述N型AlGaN层之间设有第二本征GaN阻挡层，所述基极设置在所述第二本征GaN阻挡层上。

3.根据权利要求2所述的NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件，其特征在于：

所述第一本征GaN阻挡层和第二本征GaN阻挡层的厚度为5～10nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件，其特征在于：

所述N型AlGaN层包括N型掺杂Al_xGa_1-xN层以及位于其上的N型掺杂Al_rGa_1-rN组分渐变层，在所述N型掺杂Al_rGa_1-rN组分渐变层中自下而上Al的摩尔组分r的大小从x渐变至0。

5.根据权利要求4所述的NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件，其特征在于：

所述N型掺杂Al_xGa_1-xN层的厚度为100nm；所述N型掺杂Al_rGa_1-rN组分渐变层的厚度为150nm。

6.根据权利要求4所述的NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件，其特征在于：

所述Al的摩尔组分r的大小从x渐变至0中的渐变方式是线性渐变或指数渐变。