[实用新型]一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路

说明书

本实用新型装置公开了一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，切换电路外连接输入电路，输入电路为PWM控制电路以及驱动放大电路，切换电路另一端电路连接在小功率驱动电路或者大功率驱动电路上，小功率驱动电路或者大功率驱动电路另一端通过输出电路连接在场效应管上，并控制场效应管内的工作电路；切换电路与小功率驱动电路或者大功率驱动电路连接电路上设置有切换开关，有益之处：设计一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，针对场效应板工作功率范围，设计有切换电路以及切换开关，控制驱动电路为小功率驱动电路或者大功率驱动电路，进而达到场效应管的工作最佳环境，且大功率驱动电路为驱动保护二合一电路，电路驱动速度快,过流保护动作关断快。

技术领域

本实用新型属于半导体材料领域，具体涉及一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路。

背景技术

碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管，具有开关速度快、开关损耗小、温度性能好、耐压等级高、体积小等优点，在电力电子变换器领域具有非常好的应用前景，其中涉及相互连接的驱动电路，驱动电路是指主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管，传统的SiC半导体场效应晶体管驱动电路常出现安全稳定性差，对于过流保护性不强，不能满足大电流下长时间工作的条件，且现在的碳化硅晶体管多以针对性工作为主，每一个工作性质需要更换驱动电路进行控制，但是场效应管性能几乎可以满足，这样更换驱动装置造成一定的成本压力，需要设计一种具有一定切换控制能力的碳化硅半导体场效应管的驱动电路。

发明内容

针对以上不足，本实用新型装置提供了一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路。

本实用新型装置解决其技术问题所采用的技术方案是：该装置主要包括切换电路、小功率驱动电路、大功率驱动电路、场效应管，所述切换电路外连接输入电路，输入电路为PWM控制电路以及驱动放大电路，所述切换电路另一端电路连接在所述小功率驱动电路或者所述大功率驱动电路上，所述小功率驱动电路或者所述大功率驱动电路另一端通过输出电路连接在所述场效应管上，并控制场效应管内的工作电路；所述切换电路与所述小功率驱动电路或者所述大功率驱动电路连接电路上设置有切换开关，所述小功率驱动电路适合于驱动低频小功率IGBT，当控制信号VI为高电平时，V1导通，输出VO对应控制的开关管导通；当控制信号VI为低电平时，V2导通，输出VO对应控制的开关被关断，所述大功率驱动电路性质为驱动保护二合一电路，采用变压器传输，适用于驱动高频大功率的IGBT。

工作原理：具体的，所述切换电路外连接输入电路，输入电路为PWM控制电路以及驱动放大电路，所述切换电路另一端电路连接在所述小功率驱动电路或者所述大功率驱动电路上，所述小功率驱动电路或者所述大功率驱动电路另一端通过输出电路连接在所述场效应管上，并控制场效应管内的工作电路，特别的，所述切换电路与所述小功率驱动电路或者所述大功率驱动电路连接电路上设置有切换开关，可以根据场效应管的工作形式进行切换，比如当工作为大功率情况时，切换开关切换到所述大功率驱动电路，驱动保护二合一电路中，不采用光耦合器作信号隔离而用磁环变压器耦合方波信号，因光耦合器的速度不够快，并存在光耦合器的上升下降波沿延时，采用变压器传输可获得陡直上升下降波沿，几乎没有传输延时，电路驱动速度快,过流保护动作关断快；当工作为小功率情况时，切换开关切换到所述小功率驱动电路，具体为，当控制信号VI为高电平时，V1导通，输出VO对应控制的开关管导通；当控制信号VI为低电平时，V2导通，输出VO对应控制的开关被关断。

有益之处：设计一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路，针对场效应板工作功率范围，设计有切换电路以及切换开关，控制驱动电路为小功率驱动电路或者大功率驱动电路，进而达到场效应管的工作最佳环境，且大功率驱动电路为驱动保护二合一电路，电路驱动速度快,过流保护动作关断快。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型装置进一步说明。

图1是本实用新型一种碳化硅半导体场效应管的驱动电路的原理图；