[实用新型]一种石墨舟套管和石墨舟有效
申请号: | 201922281812.9 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN210668405U | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 绪欣;许佳平;张胜军;黄思;沈梦超;张梦葛;曹育红;黄海冰 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/673 |
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地址: | 213300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 套管 | ||
1.一种石墨舟套管,其特征在于,包括具有一沿轴向方向贯通的圆柱形腔体的套管本体;所述套管本体的管壁外周上具有至少一圈槽状结构,所述槽状结构被构造为包括开设于管壁外表面的窄槽以及开设于管壁内的宽槽;所述窄槽与外部连通,所述宽槽与窄槽连通,以在管壁外周形成至少一圈用于遮挡宽槽部分槽壁处薄膜沉积的悬挂壁结构。
2.如权利要求1所述的石墨舟套管,其特征在于,所述槽状结构为位于套管本体两端之间任意位置的内部槽;所述内部槽被构造为单侧槽或双侧槽;所述单侧槽中,窄槽位于宽槽的一侧;所述双侧槽中,窄槽位于宽槽两侧壁之间。
3.如权利要求2所述的石墨舟套管,其特征在于,所述双侧槽中,窄槽位于宽槽的中间位置。
4.如权利要求2所述的石墨舟套管,其特征在于,所述套管本体为陶瓷材质的中空圆柱体结构;所述套管本体的长度为L,管壁厚度为D;所述悬挂壁结构中最长的长度为S,所述窄槽的宽度为w1,所述宽槽的深度为h2;所述单侧槽中,1/3L≤S<2/3L,1/6S≤w1≤1/3S,h2≤1/2D;所述双侧槽中,1/4L≤S≤1/2L,1/6S≤w1≤1/2S,h2≤1/2D。
5.如权利要求1所述的石墨舟套管,其特征在于,所述槽状结构为位于套管本体端部的端部槽;所述端部槽中,窄槽位于宽槽的一侧,窄槽和宽槽均与外部连通。
6.如权利要求5所述的石墨舟套管,其特征在于,所述套管本体为陶瓷材质的中空圆柱体结构;所述套管本体的长度为L,管壁厚度为D;所述悬挂壁结构中最长的长度为S,所述窄槽的宽度为w1,所述宽槽的深度为h2;其中,1/4L≤S≤1/2L,1/6S≤w1≤1/2S,h2≤1/2D。
7.如权利要求1所述的石墨舟套管,其特征在于,所述槽状结构包括沿套管本体轴向方向分布的至少两个,每个槽状结构的形状和尺寸不要求完全一致。
8.如权利要求1所述的石墨舟套管,其特征在于,所述宽槽位于悬挂壁处的槽壁上具有至少一圈台阶结构,或者所述宽槽位于悬挂壁处的槽壁为坡面结构。
9.如权利要求1所述的石墨舟套管,其特征在于,所述台阶结构或坡面结构均背向窄槽布置。
10.一种石墨舟,其特征在于,包括石墨舟片、支撑杆,以及权利要求1至9任意一项所述的石墨舟套管;所述支撑杆用于支撑石墨舟片;所述石墨舟套管套设于支撑杆并布置在相邻的石墨舟片之间,用于支撑和固定石墨舟片,使相邻石墨舟片之间保持相同的距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的