[实用新型]一种VCSEL芯片

权利要求书

1.一种VCSEL芯片，其特征在于，所述VCSEL芯片包括：

衬底；

在所述衬底表面依次堆叠的N型DBR层、N型限制层、第一波导层、第二波导层、量子阱、第二对称波导层、第一对称波导层及P型限制层；所述第一波导层及所述第一对称波导层分别包括函数渐变的势垒；

在所述P型限制层背离所述第一对称波导层的一侧表面依次堆叠的P型氧化界面截止层、P型DBR层和P型包层。

2.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一波导层的势垒大于所述第二波导层的势垒，所述第二波导层的势垒小于所述第二对称波导层的势垒，所述第二对称波导层的势垒小于所述第一对称波导层的势垒，所述第一对称波导层的势垒小于P型限制层的势垒，所述第一波导层的势垒大于P型限制层的势垒。

3.根据权利要求1或2所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述N型限制层、第一波导层、第二波导层、第二对称波导层、第一对称波导层、P型限制层分别包括Al_xGaAs层。

4.根据权利要求1或2所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述N型限制层、第一波导层、第二波导层、第二对称波导层、第一对称波导层、P型限制层分别包括Al_xGa_yIn_zP层。

5.根据权利要求1或2所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述N型限制层、第一波导层、第二波导层、第二对称波导层、第一对称波导层、P型限制层分别包括Al_xIn_yGaAs层。

6.根据权利要求1或2所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述N型限制层的厚度为L1、第一波导层的厚度为L2、第二波导层的厚度为L3、P型限制层的厚度为L4、第二对称波导层的厚度为L5、第一对称波导层的厚度为L6，且L1＞L3＞L2，L4＞L5＞L6。