[实用新型]一种过温保护电路及驱动电源有效
申请号: | 201922299391.2 | 申请日: | 2019-12-19 |
公开(公告)号: | CN211089465U | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 朱元;刘新生 | 申请(专利权)人: | 欧普照明股份有限公司;苏州欧普照明有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02H5/04 |
代理公司: | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人: | 康正德 |
地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 保护 电路 驱动 电源 | ||
本实用新型提出了一种过温保护电路及驱动电源,过温保护电路设置在驱动电源中,用于所述保护驱动电源中的驱动IC周边的高温零器件,过温保护电路包括:下拉电阻、至少一个温度开关;其中,所述温度开关贴附在所述高温零器件上;所述温度开关包括第一端、第二端,所述第一端与所述驱动IC连接,所述第二端通过所述下拉电阻接地;所述温度开关配置为在所述高温零器件的温度达到预设阈值时导通,以降低所述驱动IC的输入电压;并且,在所述高温零器件的温度降低到安全值范围后关断。基于本实用新型提出的技术方案,可根据实际需要增设多个温度开关,以同时监测多个高温零器件的温度。
技术领域
本实用新型涉及电子电路领域,尤其涉及一种过温保护电路及驱动电源。
背景技术
大功率驱动电源在工作中由于零器件功率损耗,驱动芯片会输出更大功率,导致温度升高。驱动芯片在过高温度状况下,其周边的高温零器件会受到影响,比如MOS管温升高了耐电流能力会下降,磁性元件温度过高会造成磁饱和磁密下降,严重情况下可造成驱动电源寿命降低甚至损坏,影响客户的使用体验。
现有技术中,一般采用在驱动电源中设置过温保护电路来保护高温零器件。如图1所示,过温保护电路20的具体工作原理是:热敏电阻NTC1贴装在高温零器件上,其温度会随着高温零器件温度的上升而上升,导致阻抗降低,使得开关管Q1的Vb端电压升高,在电压升高达到开关管Q1的导通阈值时,开关管Q1导通,驱动芯片U2的DIM管脚经由电阻R9接地,驱动芯片U2 的输出功率降低。
过温保护电路20的弊端在于:(1)开关管Q1是晶体管零器件,Vbe导通电压的阈值跟随温度变化存在不稳定性,得出的保护温度点不能很精确。(2) 开关管Vbe的导通电压受VCC电压所控制:根据公式 Rntc=Vcc.R9-Vbe(R9+R5)/Vce可知,只有在Vcc的电压大小在很精确时才能得到精确的起到保护作用的Rntc的值。(3)过温保护电路20并不能同时监测多个高温零器件。(4)开关管Q1在饱和导通和截止之间存在放大区,存在零界点。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是提供一种过温保护电路,用于保护驱动电源中的驱动IC周边的高温零器件。
特别地,本实用新型提供了一种过温保护电路,其设置在驱动电源中,用于保护所述驱动电源中的驱动IC周边的高温零器件,其中,所述过温保护电路包括:下拉电阻、至少一个温度开关;其中
所述温度开关贴附在所述高温零器件上;
所述温度开关包括第一端、第二端,所述第一端与所述驱动IC连接,所述第二端通过所述下拉电阻接地;
所述温度开关配置为在所述高温零器件的温度达到预设阈值时导通,以降低所述驱动IC的输入电压;并且,在所述高温零器件的温度降低到安全值范围后关断。
可选地,所述驱动IC包括DIM管脚,所述温度开关的第一端与所述DIM 管脚连接,用于降低输入至所述DIM管脚的电压,进而降低所述驱动IC的输出功率。
可选地,所述温度开关为多个,多个所述温度开关并联连接;
多个所述温度开关分别贴附在不同的高温零器件上,用于同时监测多个高温零器件的温度。
可选地,贴附在不同的所述高温零器件上的所述温度开关的开启温度阈值不同。
可选地,所述温度开关为常开型可恢复温度开关。
可选地,所述温度开关为采用双列直插式封装形式封装的温度开关。
可选地,所述温度开关的型号为KSD9700。
根据本实用新型的另一个方面,还提供了一种驱动电源,包括如上述任一项所述的过温保护电路、驱动IC以及设置在所述驱动IC周边的高温零器件;
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