[实用新型]一种双面抛光装置

说明书

本实用新型提供一种双面抛光装置，所述双面抛光装置包括：相对设置的上抛光头和下抛光头；固定设置于所述上抛光头上的上定盘以及固定设置于所述下抛光头上的下定盘；贴附于所述上定盘上的上抛光垫以及贴附于所述下定盘上的下抛光垫，所述上抛光垫的直径比所述上定盘的直径小5～15mm，所述下抛光垫的直径比所述下定盘的直径小5～15mm。根据本实用新型实施例的双面抛光装置，可以有效减少双面抛光加工时硅片边缘的接触面，从而改善硅片的平坦度。

技术领域

本实用新型涉及硅片抛光技术领域，具体涉及一种双面抛光装置。

背景技术

硅片双面抛光是去除在成型工艺中产生的硅片表面损伤的工艺。载有硅片的承载盘与附着在旋转中的上/下定盘的抛光垫表面接触，通过上定盘供应的胶状浆料的化学反应及旋转和压力造成的物理反应来研磨硅片表面。

在进行双面抛光工艺的过程中，由于硅片和浆料的化学反应，抛光垫和硅片的摩擦产生研磨残留物,如果进行连续作业，上/下定盘的抛光垫从中心部位研磨过多形成凹形，或是因边缘研磨过多造成凸型的情况出现。随着这种抛光垫的形状变化，也会造成硅片的形状变化，这是硅片平坦度恶化的重要因素。随着双面抛光加工中浆液的循环利用,被过滤剩下的浆液继续循环,通过这种连续加工，抛光垫表面的平坦度也会发生变化。连续双面抛光时，因变形的抛光垫表面，双面抛光加工中硅片中心和边缘研磨不均匀，使硅片的平坦度加工品质参数降低，对后续最终抛光工艺也会造成影响。

如果不进行抛光垫表面平坦度管理而连续进行下一个工艺的话，最终将导致硅片良率下降，硅片的品质也会下降。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种双面抛光装置，以解决现有技术中抛光垫表面平坦度恶化、继而导致硅片良率和品质下降的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型实施例提供一种双面抛光装置，包括：

相对设置的上抛光头和下抛光头；

固定设置于所述上抛光头上的上定盘以及固定设置于所述下抛光头上的下定盘；

贴附于所述上定盘上的上抛光垫以及贴附于所述下定盘上的下抛光垫，所述上抛光垫的直径比所述上定盘的直径小5～15mm，所述下抛光垫的直径比所述下定盘的直径小5～15mm。

可选的，所述上抛光头和/或所述下抛光头的端部设有气囊，所述气囊的内部间隔分为至少两个气压室，所述至少两个气压室呈同圆心设置，所述至少两个气压室内的气压互不相同。

可选的，所述至少两个气压室内的气压自所述圆心向边缘方向逐渐减小。

可选的，每一所述气压室分别通过一气压控制管路与气源供给端连接。

可选的，所述气压室的数量为两个。

可选的，所述上抛光垫和/或所述下抛光垫的抛光面开设有若干凹槽，所述上抛光垫和/或所述下抛光垫自中心向边缘方向划分为至少三个抛光区，所述至少三个抛光区内的凹槽的槽宽互不相同。

可选的，所述抛光区的数量为两个。

可选的，所述两个抛光区包括第一抛光区和包围所述第一抛光区的第二抛光区，所述第一抛光区的槽宽小于所述第二抛光区的槽宽。

可选的，所述若干凹槽呈同圆心设置的圆形。

可选的，所述双面抛光装置还包括：

若干温度传感器，所述若干温度传感器的探头布设于所述上抛光垫和/或所述下抛光垫上背对抛光面的一侧。

本实用新型上述技术方案的有益效果如下：