[实用新型]显示面板及显示装置有效
申请号: | 201922313769.X | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN210668370U | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 马永达;吴新银;先建波 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60;H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 张静尧 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括多条信号线和至少一个导电图案,其中,所述导电图案与公共电压电连接;
所述导电图案通过第一防静电开关单元与所述信号线电连接;
所述第一防静电开关单元包括控制子单元和静电缓冲子单元;所述控制子单元用于控制所述第一防静电开关单元的开、关;所述控制子单元的输入端与所述信号线电连接,输出端与所述静电缓冲子单元电连接;所述静电缓冲子单元包括电连接的连接部和延伸部;
所述连接部与所述控制子单元的输出端以及所述导电图案电连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述控制子单元包括至少一个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的漏极与所述连接部电连接,源极与所述信号线电连接;所述导电图案与所述薄膜晶体管的栅极层同层同材料,所述薄膜晶体管的漏极与栅极层之间设有绝缘层,所述绝缘层上设有第一过孔,所述第一过孔露出所述导电图案,所述连接部至少覆盖所述第一过孔。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管的源极和栅极层电连接。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述延伸部的形状为矩形。
5.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层上还设有凹槽,所述延伸部覆盖所述凹槽。
6.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层包括第一绝缘子层和第二绝缘子层,所述第一绝缘子层相对于所述第二绝缘子层更靠近所述导电图案,在所述第一绝缘子层上还设有缓冲图案,所述延伸部通过位于所述第二绝缘子层上的第二过孔与所述缓冲图案接触。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述信号线包括栅线与数据线。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述延伸部的长度大于等于所述导电图案的宽度的2倍;
和/或
所述栅线的面积大于所述数据线的面积,与所述栅线电连接的第一防静电开关单元中延伸部的面积大于与所述数据线电连接的第一防静电开关单元中延伸部的面积。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括公共电极线,所述导电图案通过所述公共电极线与公共电压电连接。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述导电图案通过第二防静电开关单元与所述公共电极线电连接,所述第二防静电开关单元的输入端与所述导电图案电连接,输出端与所述公共电极线电连接;
所述第二防静电开关单元的结构与所述第一防静电开关单元的结构相同;或者,
所述第二防静电开关单元包括多个串联的薄膜晶体管,靠近所述导电图案的薄膜晶体管的栅极层为所述第二防静电开关单元的输入端,靠近所述公共电极线的薄膜晶体管的漏极为所述第二防静电开关单元的输出端。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,在所述第二防静电开关单元包括多个串联的薄膜晶体管的情况下,靠近所述导电图案的薄膜晶体管的宽长比小于远离所述导电图案的薄膜晶体管的宽长比。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-11任一项所述的显示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922313769.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种用于电子商务使用的快递临时储存装置
- 下一篇:一种自动兑换机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的